[發(fā)明專利]太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜及其制備工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910264730.1
• 申請日: 2009-12-30
• 公開（公告）號: CN101776338A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發(fā)明（設計）人: 錢濤
• 申請（專利權(quán)）人: 星弧涂層科技(蘇州工業(yè)園區(qū))有限公司
• 主分類號: F24J2/48
• 分類號: F24J2/48;C23C14/06;C23C14/35;B32B15/04
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陸明耀;陳忠輝

1.一種太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜，設置于金屬基板上，其特征在于：包括通過磁控濺射工藝設于所述金屬基板上的用于吸熱的CrFe純金屬第一層膜層，用于吸熱和減反的CrFeON第二層膜層，用于吸熱和減反的CrFeON的第三層膜層，以及用于減反的SnO第四層膜層，所述四層膜層在磁控濺射過程中都施加有300V～500V偏壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜，其特征在于：所述第一層膜層的厚度為40±10nm，膜層成分為純金屬CrFe。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜，其特征在于：所述第二層膜層的厚度為120±10nm，膜層成分為CrFeON。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜，其特征在于：所述第三層膜層的厚度為100±10nm，膜層成分為CrFeON。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜，其特征在于：所述第四層膜層的厚度為40±10nm，膜層成分為SnO。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜，其特征在于：所述金屬基板為紫銅薄板、鋁制薄板或不銹鋼薄板。

7.一種如權(quán)利要求1所述的太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜的制備工藝，其特征在于：包括如下步驟，

(1)將鍍膜真空室在抽氣系統(tǒng)的抽氣下，達到5×10^-4Pa以上真空度，加熱所述金屬基板達到150℃并保持溫度10～20分鐘；

(2)向鍍膜真空室內(nèi)通入氬氣，使真空室壓力達到3.5×10^-1Pa，開始CrFe靶的濺射工藝形成第一層膜層，其中施加在所述金屬基板上的偏壓為500V、占空比為40％、脈沖頻率為40KHz的直流脈沖電壓；

(3)保持氬氣的含量，進一步再向鍍膜真空室內(nèi)同時引入氮氣和氧氣并確保氮氣和氧氣的比例為1.5∶1sccm，使真空室壓力達到4.5×10^-1Pa，開始CrFeON膜層的沉積工藝，形成第二層膜層，其中施加在所述金屬基板上的偏壓為500V、占空比為40％、脈沖頻率為40KHz的直流脈沖電壓；

(4)保持氬氣的含量以及氮氣和氧氣的比例，進一步增加氮氣、氧氣混合氣體的供給量并使得真空室壓力達到8.5×10^-1Pa，形成第三層膜層，其中施加在所述金屬基板上的偏壓為300V、占空比為40％、脈沖頻率為40KHz的直流脈沖電壓；

(5)停止CrFe靶的濺射工藝，同時引入氬氣和氧氣使真空室壓力達到4.5×10^-1Pa，然后開始Sn靶濺射沉積SnO膜層，形成第四層膜層，其中施加在所述金屬基板上的偏壓為300V、占空比為40％、脈沖頻率為40KHz的直流脈沖電壓；

(6)自然降溫。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜的制備工藝，其特征在于：第2至第5步驟中，所述金屬基板的溫度保持在150℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能高溫吸熱CrFeON薄膜的制備工藝，其特征在于：所述第2步驟和第5步驟中的磁控濺射靶材分別為重量百分比為70∶30的CrFe合金和純度99.9％的Sn。