[發明專利]一種多晶硅硅棒的制造方法無效
| 申請號： | 200910264201.1 | 申請日： | 2009-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN101759185A | 公開（公告）日： | 2010-06-30 |
| 發明（設計）人： | 鐘真武;陳其國 | 申請（專利權）人： | 江蘇中能硅業科技發展有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/03 | 分類號： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 221004 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 硅硅棒 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅硅棒的制造方法，所述的方法包括使含硅氣體和氫氣在熾熱的 硅芯表面還原，表面溫度為1000-1150℃，硅沉積在熾熱的硅芯表面，隨著硅的沉 積，硅芯直徑逐漸長大，形成多晶硅硅棒；
其中，所述的硅芯為螺旋形硅芯；所述的螺旋形硅芯的節距為10-300mm；所 述的螺旋形硅芯的螺旋直徑為20-120mm。
2.根據權利要求1所述的多晶硅硅棒的制造方法，其特征在于，所述的反應 在鐘形反應器中進行。
3.根據權利要求1所述的多晶硅硅棒的制造方法，其特征在于，所述含硅氣 體包括鹵代硅烷，硅烷。
4.根據權利要求3所述的多晶硅硅棒的制造方法，其特征在于，所述的鹵代 硅烷包括氯代硅烷，溴代硅烷，碘代硅烷。
5.根據權利要求4所述的多晶硅硅棒的制造方法，其特征在于，所述的鹵代 硅烷可以表示為SiHnX4-n，其中n＝0-3，X＝Cl，Br，I。
6.根據權利要求1所述的多晶硅硅棒的制造方法，其特征在于，所述的螺旋 形硅芯的節距為50-150mm。
7.根據權利要求1所述的多晶硅硅棒的制造方法，其特征在于，所述的螺旋 形硅芯的螺旋直徑為50-80mm。
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