[發明專利]背照式圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200910262162.1
• 申請日: 2009-12-25
• 公開（公告）號: CN101771059A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 金文煥
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種背照式圖像傳感器，包括：

隔離區和像素區，位于第一襯底的前側；

光電探測器和讀出電路，位于所述像素區上；

層間介電層和金屬線，位于所述第一襯底的前側；

第二襯底，被接合到形成有所述金屬線的所述第一襯底的前側；

像素分隔離子注入層，在所述第一襯底的背側位于所述隔離區上；以及

微透鏡，在所述第一襯底的背側位于所述光電探測器上。

2.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中所述像素分隔離子注入層包括P型離子注入區。

3.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，還包括焊盤，位于所述第一襯底的前側，所述焊盤通過所述第一襯底的背側而露出。

4.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，還包括絕緣層，介于所述第一襯底的前側與所述第二襯底之間。

5.一種制造背照式圖像傳感器的方法，所述方法包括以下步驟：

通過在第一襯底的前側的整個區域上方注入離子，形成離子注入層；

通過在所述第一襯底的前側形成隔離區，限定像素區；

在所述像素區上形成光電探測器和讀出電路；

在所述第一襯底的前側形成層間介電層和金屬線；

將第二襯底接合到形成有所述金屬線的所述第一襯底的前側；

去除由所述離子注入層限定的所述第一襯底的下部；

在去除所述第一襯底的下部之后，在所述第一襯底的背側于所述隔離區上形成像素分隔離子注入層；以及

在所述第一襯底的背側于所述光電探測器上形成微透鏡。

6.如權利要求5所述的方法，其中形成像素分隔離子注入層的步驟包括：將離子注入所述第一襯底的背側中，使得所述像素分隔離子注入層從所述第一襯底的背側的表面延伸到所述隔離區。

7.如權利要求5所述的方法，其中形成像素分隔離子注入層的步驟包括：在所述隔離區上形成P型離子注入區。

8.如權利要求5所述的方法，其中形成離子注入層的步驟包括：注入氫離子或氦離子。

9.如權利要求5所述的方法，其中形成離子注入層的步驟通過所述第一襯底的前側注入離子，使得所述離子注入層以預定深度形成在所述第一襯底的前側的整個區域上方。

10.如權利要求5所述的方法，其中去除所述第一襯底的下部的步驟包括：通過使用所述離子注入層，在所述第一襯底的與所述第一襯底的前側相對的一側去除所述第一襯底的一部分。