[發明專利]制作閃存器件的方法

無效

• 申請號: 200910261762.6
• 申請日: 2009-12-29
• 公開（公告）號: CN101840890A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 尹基準
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 北京博浩百睿知識產權代理有限責任公司 11134
• 代理人: 宋子良;方抗美

1.一種制作閃存器件的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上形成ONO膜；

在所述ONO膜上形成存儲柵；

在所述存儲柵的上部和側壁上形成柵氧化物膜；

在包括所述存儲柵的所述半導體襯底的整個表面上形成用于選通電路的第一多晶硅；

在所述第一多晶硅的整個表面上額外地形成第二多晶硅；

蝕刻所述第一多晶硅和所述第二多晶硅的一部分，以使所述第一多晶硅和所述第二多晶硅變平；以及

選擇性地蝕刻所述第一多晶硅的區域以形成選通電路。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在包括所述存儲柵的所述半導體襯底的整個表面上形成用于選通電路的第一多晶硅的步驟在所述第一多晶硅中形成取決于所述存儲柵之間的距離的圓形槽。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，額外地形成所述第二多晶硅以填充在所述第一多晶硅中的所述圓形槽。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻所述第一多晶硅和所述第二多晶硅的一部分以使所述第一多晶硅和所述第二多晶硅變平的步驟包括為了變平而通過等離子體干法蝕刻來回蝕的步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻所述第一多晶硅和所述第二多晶硅的一部分以使所述第一多晶硅和所述第二多晶硅變平的步驟包括完全去除所述第二多晶硅并且使所述第一多晶硅變平以將所述第一多晶硅填充在所述存儲柵之間的圓形槽內的步驟。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，使所述第一多晶硅變平以具有與所述存儲柵相同的厚度。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述選擇性地蝕刻所述第一多晶硅的區域以形成選通電路的步驟包括在所述存儲柵的側壁上形成選通電路的步驟。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述選通電路具有平坦的上表面。