[發(fā)明專利]基板處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910261675.0
• 申請(qǐng)日: 2009-12-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101800160A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李誠(chéng)泰;小笠原正宏;伊藤雅大
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

1.一種基板處理方法，該基板處理方法用于對(duì)在處理對(duì)象 層上層疊有掩膜層及中間層的基板實(shí)施蝕刻處理，借助上述中 間層及掩膜層在上述處理對(duì)象層形成圖案形狀，其特征在于，

包括處理對(duì)象層蝕刻步驟，作為處理氣體使用含有C₆F₆氣 體的氣體蝕刻上述處理對(duì)象層，從而能夠在上述掩膜層上堆積 保護(hù)層以確保上述掩膜層的剩余膜量的情況下進(jìn)行蝕刻。

2.一種基板處理方法，該基板處理方法用于對(duì)在處理對(duì)象 層上層疊有掩膜層及中間層的基板實(shí)施蝕刻處理，借助上述中 間層及掩膜層在上述處理對(duì)象層形成圖案形狀，其特征在于，

包括處理對(duì)象層蝕刻步驟，在該處理對(duì)象層蝕刻步驟中， 利用作為處理氣體使用含有C₄F₆氣體的氣體進(jìn)行的前蝕刻步 驟、及作為處理氣體使用向上述含有C₄F₆氣體的氣體中添加羰 基硫氣體而成的含有羰基硫氣體的氣體進(jìn)行的后蝕刻步驟來(lái)蝕 刻上述處理對(duì)象層，從而能夠在上述掩膜層上堆積保護(hù)層以確 保上述掩膜層的剩余膜量的情況下進(jìn)行蝕刻。

3.一種基板處理方法，該基板處理方法用于對(duì)在處理對(duì)象 層上層疊有掩膜層及中間層的基板實(shí)施蝕刻處理，借助上述中 間層及掩膜層在上述處理對(duì)象層形成圖案形狀，其特征在于，

包括：

第1蝕刻步驟，作為處理氣體使用含有CF₄氣體、CHF₃氣 體和C₄F₈氣體的混合氣體，在處理壓力為100mTorr～ 150mTorr的條件下蝕刻上述中間層；

第2蝕刻步驟，作為處理氣體使用含有羰基硫氣體的氣體 蝕刻上述掩膜層；

第3蝕刻步驟，作為處理氣體使用含有C₆F₆氣體的氣體蝕 刻上述處理對(duì)象層，

由此，能夠在上述掩膜層上堆積保護(hù)層以確保上述掩膜層 的剩余膜量的情況下進(jìn)行蝕刻。

4.一種基板處理方法，該基板處理方法對(duì)在處理對(duì)象層上 層疊有掩膜層及中間層的基板實(shí)施蝕刻處理，借助上述中間層 及掩膜層在上述處理對(duì)象層形成圖案形狀，其特征在于，

包括：

第1蝕刻步驟，作為處理氣體使用含有CF₄氣體、CHF₃氣 體和C₄F₈氣體的混合氣體，在處理壓力為100mTorr～ 150mTorr的條件下蝕刻上述中間層；

第2蝕刻步驟，作為處理氣體使用含有羰基硫氣體的氣體 蝕刻上述掩膜層；

第4蝕刻步驟，利用作為處理氣體使用含有C₄F₆氣體的氣 體進(jìn)行的前蝕刻步驟、及作為處理氣體使用向上述含有C₄F₆氣 體的氣體中添加羰基硫氣體而成的含有羰基硫氣體的氣體進(jìn)行 的后蝕刻步驟來(lái)蝕刻上述處理對(duì)象層，

由此，能夠在上述掩膜層上堆積保護(hù)層以確保上述掩膜層 的剩余膜量的情況下進(jìn)行蝕刻。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的基板處理方法，其特征在于，

在上述第2蝕刻步驟中，使上述羰基硫氣體流量為除上述 羰基硫氣體之外的全處理氣體流量的3％～5％。

6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的基板處理方法，其特征在于，

在上述第2蝕刻步驟中，使處理壓力為20mTorr以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的基板處理方法，其特征在于，

在上述處理對(duì)象層蝕刻步驟及上述第3蝕刻步驟中，使上 述含有C₆F₆氣體的氣體中的上述C₆F₆氣體的流量為全處理氣 體流量的2％以上。