[發(fā)明專利]高純粒狀硅及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910261505.2 | 申請日： | 2005-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN101734664A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | J·伊布拉希姆;M·G·艾維;T·D·特魯昂 | 申請（專利權(quán)）人： | MEMC電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/02 | 分類號： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人： | 林柏楠;劉金輝 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高純 粒狀 及其 制造 方法 | ||
1.粒狀硅合成物，包含總重量為至少300千克的多個自由流動的硅粒 子，其中這些粒子具有小于0.2ppba的平均過渡金屬濃度。
2.權(quán)利要求1的粒狀硅合成物，其中所述粒子的總重量為至少1公噸。
3.權(quán)利要求1的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有0.15ppba至0.1 ppba的平均過渡金屬濃度。
4.權(quán)利要求1的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有不超過0.1ppba的 平均硼濃度。
5.權(quán)利要求1的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有不超過0.1ppba的 平均磷濃度。
6.權(quán)利要求1的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有0.02至0.1ppma 的平均碳濃度。
7.權(quán)利要求1的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有0.3至1.5ppmw 的平均氫濃度。
8.權(quán)利要求1的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有800至1200微米 的平均尺寸。
9.權(quán)利要求1的粒狀硅合成物，其中重量的0.006％至0.02％可歸于 表面粉塵。
10.粒狀硅合成物，包含總重量為至少300千克的多個自由流動的硅 粒子，其中至少99％的粒子的尺寸為250至3500微米。
11.權(quán)利要求10的粒狀硅合成物，其中所述粒子的總重量為至少1公 噸。
12.權(quán)利要求10的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有不超過0.1ppba 的平均過渡金屬濃度。
13.權(quán)利要求10的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有不超過0.1ppba 的平均硼濃度。
14.權(quán)利要求10的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有不超過0.1ppba 的平均磷濃度。
15.權(quán)利要求10的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有0.02至0.1ppma 的平均碳濃度。
16.權(quán)利要求10的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有0.3至1.5ppmw 的平均氫濃度。
17.權(quán)利要求10的粒狀硅合成物，其中所述粒子具有800至1200微 米的平均尺寸。
18.權(quán)利要求10的粒狀硅合成物，其中重量的0.006％至0.02％可歸 于表面粉塵。
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