[發(fā)明專利]測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910260969.1
• 申請(qǐng)日: 2009-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN101988949A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹泰植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;黃啟行

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

根據(jù)35U.S.C?119(a)，本申請(qǐng)要求2009年7月30日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)申請(qǐng)No.10-2009-0070091的優(yōu)先權(quán)，在此通過引用將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合進(jìn)來。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生裝置，以及更具體地說，涉及能通過使用地址信號(hào)生成測(cè)試模式信號(hào)，使得半導(dǎo)體器件能執(zhí)行測(cè)試操作的測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生裝置。

背景技術(shù)

通常，為保證半導(dǎo)體器件的可靠性，在制作過程期間或在運(yùn)送產(chǎn)品之前，執(zhí)行各種測(cè)試。由于要對(duì)半導(dǎo)體器件實(shí)施各種性能測(cè)試，該測(cè)試涉及設(shè)定多種測(cè)試模式，在該測(cè)試模式中執(zhí)行各種性能測(cè)試并且基于預(yù)定的測(cè)試模式在半導(dǎo)體器件上執(zhí)行各種測(cè)試。通常，半導(dǎo)體器件邏輯地組合地址信號(hào)來生成能指示半導(dǎo)體器件進(jìn)入特定測(cè)試模式的測(cè)試模式信號(hào)。

圖1是示意性地表示傳統(tǒng)的測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖。圖1的測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生裝置包括控制單元10、地址解碼器20和測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生單元30。控制單元10接收地址信號(hào)MREG<0:6>、正常MRS信號(hào)NMRSP、測(cè)試MRS信號(hào)TMRSP和加電信號(hào)PWRUP。當(dāng)測(cè)試MRS信號(hào)TMRSP被使能時(shí)，控制單元10響應(yīng)地址信號(hào)MREG<0:6>生成傳送地址信號(hào)TMREG<0:6>。控制單元通過使用正常MRS信號(hào)NMRSP和加電信號(hào)PWRUP，生成復(fù)位信號(hào)TRSTPB。地址解碼器20解碼從控制單元10輸入的傳送地址信號(hào)TMREG<0:6>，然后生成測(cè)試地址信號(hào)TRG01<0:3>、TRG234<0:7>和TRG56<0:3>。測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生單元30接收測(cè)試地址信號(hào)TRG01<0:3>、TRG234<0:7>和TRG56<0:3>，以生成測(cè)試模式信號(hào)TM。測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生單元30包括多個(gè)信號(hào)發(fā)生單元31，32，33和34，并生成多個(gè)測(cè)試模式信號(hào)TM。測(cè)試模式信號(hào)“TM”在測(cè)試地址信號(hào)TRG01<0:3>、TRG234<0:7>和TRG56<0:3>的邏輯組合數(shù)目方面彼此不同。

圖2是表示構(gòu)成圖1的測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生單元30的多個(gè)信號(hào)發(fā)生單元31至34中的一個(gè)的結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，信號(hào)發(fā)生單元31包括第一至第三NMOS晶體管Na至Nc、第一PMOS晶體管Pa，以及第一至第三反相器IVa至IVc。第一至第三NMOS晶體管Na至Nc分別通過它們的柵極端，接收指定給它們的測(cè)試地址信號(hào)TRG01<0>、TRG234<m>和TRG56<n>，其中，m是大于或等于0并且小于或等于7的整數(shù)，并且n是大于或等于0并小于或等于3的整數(shù)。第一PMOS晶體管Pa通過其柵極端，接收復(fù)位信號(hào)TRSTPB。指定的測(cè)試地址信號(hào)TRG01<0>、TRG234<m>和TRG56<n>分別確定是否接通或斷開第一至第三NMOS晶體管Na至Nc，以及當(dāng)?shù)谝恢恋谌齆MOS晶體管Na至Nc均接通時(shí)，第一至第三NMOS晶體管Na至Nc將地電壓VSS施加到節(jié)點(diǎn)C。當(dāng)復(fù)位信號(hào)TRSTPB在邏輯低電平被使能時(shí)，第一PMOS晶體管Pa接通，以將外部電壓VDD施加到節(jié)點(diǎn)C。第一和第二反相器IVa和IVb鎖存節(jié)點(diǎn)C的電壓電平，并且第三反相器IVc將節(jié)點(diǎn)C的電壓電平的反相信號(hào)輸出作為測(cè)試模式信號(hào)TM。當(dāng)指定的測(cè)試地址信號(hào)TRG01<0>、TRG234<m>和TRG56<n>被使能時(shí)，信號(hào)發(fā)生單元31將節(jié)點(diǎn)C變成地電壓(VSS)電平以使能測(cè)試模式信號(hào)TM。當(dāng)表示測(cè)試操作結(jié)束的復(fù)位信號(hào)TRSTPB被使能時(shí)，信號(hào)發(fā)生單元31將節(jié)點(diǎn)C變成外部電壓(VDD)電平以禁用測(cè)試模式信號(hào)TM。

測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生單元30的所有信號(hào)發(fā)生單元具有與圖2的信號(hào)發(fā)生單元31基本上相同的結(jié)構(gòu)。換句話說，所有剩下的信號(hào)發(fā)生單元32，33和34具有與圖2的信號(hào)發(fā)生單元31基本相同的結(jié)構(gòu)。

通常，地址信號(hào)通過焊點(diǎn)輸入到半導(dǎo)體器件，并且用來生成測(cè)試模式信號(hào)的輸入地址信號(hào)的數(shù)量有限。例如，如果使用7個(gè)輸入地址信號(hào)來生成測(cè)試模式信號(hào)，則能生成能夠指示半導(dǎo)體器件進(jìn)入128個(gè)不同的測(cè)試模式的測(cè)試模式信號(hào)。在這種情況下，信號(hào)發(fā)生單元的數(shù)量將為128。

通常，半導(dǎo)體器件通過各種測(cè)試模式來執(zhí)行各種測(cè)試，以提高產(chǎn)品的可靠性。然而，由于用來執(zhí)行測(cè)試的地址信號(hào)的數(shù)量有限，難以生成更多的測(cè)試模式信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容