[發(fā)明專利]一種降低二氧化鈦薄膜應(yīng)力的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910260400.5
• 申請日: 2009-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN101748364A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳燾;王多書;熊玉卿;劉宏開;王濟(jì)州
• 申請（專利權(quán)）人: 中國航天科技集團(tuán)公司第五研究院第五一○研究所
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C23C14/30
• 代理公司: 北京理工大學(xué)專利中心 11120
• 代理人: 張利萍

1.一種降低二氧化鈦薄膜應(yīng)力的方法，其特征在于，制備方法包括如下步驟：

步驟一、當(dāng)二氧化鈦薄膜沉積完成后，在真空度優(yōu)于8.0×10^-3Pa時(shí)，充入純度為99.99％的工作氣體氧氣，氣體流量為20sccm；

步驟二、在真空度優(yōu)于2.0×10^-2Pa時(shí)，啟動(dòng)全自動(dòng)離子束輔助光學(xué)薄膜鍍膜設(shè)備的寬束冷陰極離子源，用能量為80eV～130eV低能離子束轟擊步驟一中完成沉積的二氧化鈦薄膜，轟擊時(shí)間5Min～15Min；

步驟三、離子束轟擊二氧化鈦薄膜完成后，讓基底自然冷卻至室溫，得到降低了應(yīng)力的二氧化鈦薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低二氧化鈦薄膜應(yīng)力的方法，其特征在于：所述二氧化鈦薄膜為電子束加熱蒸發(fā)沉積得到的二氧化鈦薄膜。