[發明專利]一種SiC或Si襯底GaN基晶體的結構及其生長方法無效

申請號：	200910255723.5	申請日：	2009-12-28
公開（公告）號：	CN101771121A	公開（公告）日：	2010-07-07
發明（設計）人：	吳德華;朱學亮;曲爽;李毓鋒;李樹強;徐現剛	申請（專利權）人：	山東華光光電子有限公司
主分類號：	H01L33/12	分類號：	H01L33/12;C30B25/16
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	250101 山東***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 sic si 襯底 gan 晶體結構及其生長方法
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【權利要求書】：

1.一種SiC或Si襯底GaN基晶體的結構，自下至上包括SiC或Si襯底、AlN緩沖層、N型GaN層、MQW層和P型GaN層，其特征是：AlN緩沖層具有3-5個三維和二維循環，三維AlN的厚度為50nm-100nm，二維AlN的厚度為30nm-60nm。

2.一種權利要求1所述SiC或Si襯底GaN基晶體的生長方法，其特征是：采用MOCVD方法生長，在SiC或Si襯底上生長AlN緩沖層，AlN緩沖層是通過三維和二維循環增長的諧振生長方式獲得，具體包括以下步驟：

(1)在900℃-1100℃下在SiC或Si襯底上沉積一層高溫AlN緩沖層，具體過程為：先在900℃-1000℃、NH₃流量為2L/分鐘-4L/分鐘的條件下進行AlN的三維生長，生長厚度為50nm-100nm，得到粗糙的表面；接著在1000℃-1100℃、NH₃流量為1L/分鐘-3L/分鐘的條件下進行AlN的二維生長，生長厚度為30nm-60nm，得到平整的表面，這樣三維生長和二維生長循環3-5次；

(2)然后按常規方法在950℃-1100℃生長1um厚的N型GaN層、在600℃-900℃生長80nm-200nm厚的MQW層、在700℃-1000℃生長150nm-300nm厚的P型GaN層。

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