[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 200910253351.2
• 申請日: 2004-07-02
• 公開（公告）號: CN101713920A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發明（設計）人: 小谷敏也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;周春燕

本申請是申請號為200410050084.6、申請日為2004年7月2日、發明名稱為“圖形修正方法、系統和程序、掩模、半導體器件制造方法、設計圖形”的申請的分案申請。?

技術領域

本發明涉及圖形修正方法、圖形修正系統、掩模制造方法、半導體器件制造方法、圖形修正程序、以及設計圖形。?

背景技術

近年來的半導體制造技術的進步非常引人注目，最小加工尺寸為0.18μm的半導體已批量生產。這樣的微細化通過掩模處理技術、光刻處理技術、以及腐蝕處理技術等微細圖形形成技術的飛躍性進步而實現。?

在圖形尺寸足夠大的時代，通過制作與設計者描繪的圖形相同形狀的掩模圖形，將該掩模圖形用曝光裝置復制在涂敷于晶片上的抗蝕劑上，就可以形成設計那樣的圖形。?

但是，因圖形尺寸的微細化，曝光光的衍射對晶片上的圖形尺寸產生的影響增大，用于高精度地形成微細圖形的掩模和晶片的加工技術變得困難，從而即使使用與設計圖形相同的掩模，也難以在晶片上形成設計那樣的圖形。?

為了提高設計圖形的忠實性，使用制作用于在晶片上形成相同于設計圖形的圖形的掩模圖形的被稱為光鄰近效應修正(Optical?ProximityCorrection：OPC)、處理鄰近效應修正(Process?Proximity?Correction：PPC)的技術。?

在OPC、PPC技術(以下，包括OPC用PPC表示)中，大致有兩種方法。第一種方法，根據圖形的寬度、或圖形之間的最鄰近圖形間距離等，將構成設計圖形的邊緣移動量作為規則來規定，根據該規則，使邊緣移動。第二種方法，使用可高精度地預測曝光光的衍射光強度分布的光刻模擬裝置，最合適地逼近邊緣移動量，以使在晶片上能夠形成與設計圖形相同的圖形。進而，還提出了通過組合這兩種方法，實現精度更高的修正的修正方法。?

而且，近年來，不僅提出用于修正掩模圖形的方法，而且提出對設計者描繪的設計圖形也根據某一規則進行修正的技術(以下，成為靶MDP處理)。其目的是，預測在晶片上難以形成特定的圖形種時，通過修正該圖形種，使其容易形成在晶片上。?

在該方法中，由于設計圖形自身與設計者描繪的原來的圖形不同，需要預先與設計者商議圖形的變形方法以后進行。可是，由于近年來特別難以確保光刻處理中的處理裕度(容限)，所以需要更復雜地使設計圖形變形的技術。?

再有，在專利文獻1公開的掩模圖形修正方法中，在設計規則上是可制造的，但對于在曝光工序中的曝光量、焦距變動產生的圖形尺寸的變動量大的圖形，需要進行處理。?

專利文獻1?

特開2002-131882號公報?

圖14是表示以往例的靶MDP處理的圖。在現有的靶MDP處理的修正規則中，首先如圖14所示，根據圖形間的間隔寬度來規定修正值。這里，將相鄰的圖形間的距離S分類為S1、S2、S3，并設S1＜S2＜S3。這種情況下，設距離S為S1＜S≤S2時的靶MDP處理中的修正值為a，距離S為S2＜S＜S3時的靶MDP處理中的修正值為b，則a、b一般滿足a＜b的關系。即，越是至相鄰的圖形的間隔寬的孤立的圖形，越可以通過加寬圖形容易地形成在晶片上。?

因此，對于孤立圖形102(1)的邊緣1’(粗線表示)，附加比在其附近存在的密集圖形101大的修正值(邊緣移動量)，使圖形變粗。然后，為了能夠在晶片上形成與該設計圖形相同的圖形形狀，再通過PPC來對掩模圖形進行修正，形成晶片上的完成圖形，此外，對于密集圖形101，由于通常對這種密集圖形進行析像的處理條件已被確定，所以不需要靶MDP處理。?

此時，圓標記p包圍的部分成為密集圖形101和孤立圖形102之間的中間圖形。因此，由于該部分的相鄰部分存在密集圖形101，所以被看作是密集的圖形，不附加修正值。此外，如果將這種中間的圖形看作是孤立的圖形，則由于進行與其附近的邊緣1’相同的修正，所以會附加非常大的修正值，與相鄰的圖形2之間的距離變得非常短。?

其結果，在現有的靶MDP處理中，難以在這樣的密集圖形和孤立圖形之間的中間部位確保充分的光刻裕度，成為在晶片上引起斷路/短路的原因。?

發明內容

本發明的目的在于，提供在密集圖形和孤立圖形之間的中間部位進行合適的修正的圖形修正方法、圖形修正系統、及圖形修正程序。?

此外，本發明的目的在于，提供使用在密集圖形和孤立圖形之間的中間部位進行了合適的修正的設計圖形的掩模制造方法及半導體器件制造方法。?