[發明專利]相變和阻變隨機存取存儲器及其執行突發模式操作的方法

有效

• 申請號: 200910253065.6
• 申請日: 2009-11-17
• 公開（公告）號: CN101740118A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 李光振;文榮國;金榮珌
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;H01L27/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 錢大勇

1.一種隨機存取存儲器設備，包括：

第一存儲器單元陣列；

第二存儲器單元陣列；

放大從所述第一存儲器單元陣列讀取的數據的第一讀出放大器；和

放大從所述第二存儲器單元陣列讀取的數據的第二讀出放大器，

其中所述隨機存取存儲器設備被配置以使得當在突發模式操作中讀取數 據時發生邊界跨越時，所述隨機存取存儲器設備激活所述第一存儲器單元陣 列的字線和所述第二存儲器單元陣列的字線，并且響應于所述第一存儲器單 元陣列的字線的激活，從所述第一存儲器單元陣列讀取數據，然后響應于所 述第二存儲器單元陣列的字線的激活，從所述第二存儲器單元陣列讀取數據。

2.如權利要求1所述的隨機存取存儲器設備，其中所述隨機存取存儲器 設備被配置為，只要在所述突發模式操作期間發生邊界跨越，就基本上一起 激活所述第一存儲器單元陣列的字線和所述第二存儲器單元陣列的字線。

3.如權利要求2所述的隨機存取存儲器設備，其中所述隨機存取存儲器 設備被配置為，當在所述突發模式操作期間沒有發生邊界跨越時，激活所述 第一存儲器單元陣列或者所述第二存儲器單元陣列的單一字線。

4.如權利要求1所述的隨機存取存儲器設備，其中當在所述突發模式操 作期間沒有發生邊界跨越時，以N字為單位讀取數據，其中N是自然數，而 且當在突發模式操作期間發生邊界跨越時，當所述第一存儲器單元陣列的字 線被激活時，以K字為單位讀取數據，其中K是小于N的自然數，然后，當 所述第二存儲器單元陣列的字線被激活時，以N字為單位讀取數據。

5.如權利要求1所述的隨機存取存儲器設備，其中所述第一和第二存儲 器單元陣列的至少一個包括多個金屬氧化物半導體(MOS)型相變存儲器單 元，或者多個二極管型相變存儲器單元。

6.一種隨機存取存儲器設備，包括：

存儲器單元陣列；和

配置為放大從所述存儲器單元陣列讀取的數據的讀出放大器，

其中所述隨機存取存儲器設備配置為，在突發模式操作期間，當第一邊 界跨越發生時，從所述存儲器單元陣列的第一字線讀取數據，并且插入其中 沒有數據讀取的偽突發，

其中所述隨機存取存儲器設備配置為在從所述第一字線讀取K比特數據 之前，插入所述偽突發。

7.如權利要求6所述的隨機存取存儲器設備，其中所述隨機存取存儲器 設備配置為從所述第一字線讀取K比特數據，配置為使得所述偽突發的長度 為N-K比特，且進一步配置為激活第二字線且在從所述第一字線讀取數據和 所述偽突發之后，從第二字線中讀取N比特數據，并且其中K是小于N的自 然數。

8.如權利要求7所述的隨機存取存儲器設備，其中所述隨機存取存儲器 設備配置為，從在所述突發模式操作期間發生的沒有插入第二偽突發的第二 邊界跨越中涉及的兩字線的每一個字線讀取N比特數據。

9.如權利要求7所述的隨機存取存儲器設備，其中在所述偽突發中包括 的偽周期的數量根據所述存儲器單元陣列的讀取速度、所述存儲器單元陣列 的初始時延、和/或所述突發模式操作的初始地址而改變。

10.如權利要求7所述的隨機存取存儲器設備，其中所述隨機存取存儲 器設備配置為，在所述突發模式操作中沒有邊界跨越時，以N比特為單位讀 數據。

11.如權利要求6所述的隨機存取存儲器設備，其中所述存儲器單元陣 列包括多個金屬氧化物半導體(MOS)型相變存儲器單元，或者多個二極管型 相變存儲器單元。