[發明專利]半導體電子元件的封裝方法有效
| 申請號: | 200910253040.6 | 申請日: | 2009-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN102263040A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | P·拉塞爾;塞瑞·萊貝;C·杜切尼 | 申請(專利權)人: | 阿爾斯通運輸股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/498;H01L25/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 郭思宇 |
| 地址: | 法國勒瓦*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 電子元件 封裝 方法 | ||
1.一種半導體電子元件的封裝方法,該半導體電子元件包括一些以凸起形狀置于一個絕緣陶瓷薄片表面上的導體通道,所述導體通道包括一些側邊,以便這些側邊與所述薄片的表面分別形成將所述導體通道分開的溝槽的邊和底,其特征在于該方法包括在所述溝槽中沉積混合材料的步驟,所述混合材料包括一種含有懸浮半導體材料顆粒的絕緣粘合劑。
2.根據權利要求1的方法,其中所述絕緣粘合劑選自包括凝膠、漆、膠和樹脂的組中。
3.根據權利要求1或2的方法,其中所述顆粒的半導體材料選自包括氧化鋅、碳化硅和石墨的組中,或這些材料的混合物。
4.根據權利要求1-3之一的方法,其中混合材料包括質量至少為18%的半導體材料顆粒。
5.根據權利要求4的方法,其中混合材料包括質量為40%-60%的半導體材料顆粒。
6.根據權利要求1-5之一的方法,其中該方法包括一個在所述導體通道和混合材料上沉積絕緣材料層的步驟。
7.根據權利要求6的方法,其中所述絕緣材料是硅膠。
8.一種半導體電子元件,該半導體電子元件包括一些以凸起形狀置于一個絕緣陶瓷薄片表面上的導體通道,所述導體通道包括一些側邊,以便這些側邊與所述薄片的表面分別形成將所述導體通道分開的溝槽的邊和底,其特征在于用權利要求1-7之一的方法將所述元件進行封裝。
9.一種功率電子設備,其特征在于包括至少一個如權利要求8的半導體電子元件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





