[發明專利]碳納米管陣列的制備裝置及制備方法

有效

• 申請號: 200910250643.0
• 申請日: 2009-12-11
• 公開（公告）號: CN102092704A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 馮辰;劉亮
• 申請（專利權）人: 北京富納特創新科技有限公司
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;B82B3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳納米管陣列的制備方法，其包括以下步驟：

提供一筒狀基底，該筒狀基底具有一平滑的外表面，該外表面沉積有一催化劑層；

提供一反應室，將該沉積有催化劑層的筒狀基底設置在該反應室內；

提供一加熱裝置，使該加熱裝置設置于該筒狀基底的內部，并將所述反應室內的空氣排出，之后，采用該加熱裝置加熱該筒狀基底至一預定溫度；

向該反應室內通入碳源氣體，從而在該筒狀基底上生長獲得一碳納米管陣列。

2.如權利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，在該反應室內通入碳源氣體的步驟之前，向該反應室內通入保護氣體，使該反應室保持一預定氣壓。

3.如權利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述預定溫度為500℃～800℃。

4.如權利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該筒狀基底具有一通孔，該通孔的延伸方向沿該反應室的軸線方向。

5.如權利要求4所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述通孔的橫截面為圓形、橢圓形、三角形、四邊形或多邊形。

6.如權利要求5所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該加熱裝置設置于該筒狀基底的通孔的中軸線處。

7.如權利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述筒狀基底的橫截面可為圓形、橢圓形、三角形、四邊形或多邊形。

8.如權利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述加熱裝置為一電阻絲加熱管、紅外線加熱燈管或硅鉬棒加熱器。

9.一種碳納米管陣列的制備方法，其包括以下步驟：

提供一外表面具催化劑層的筒狀基底，將其設置于一通有保護氣體的反應室內；

提供一加熱裝置，將其設置于上述筒狀基底內部，并將該反應室內的空氣排出，之后，采用該加熱裝置加熱該筒狀基底至一預定溫度；以及

向該反應室內通入一預定分壓的碳源氣，從而在該筒狀基底外表面生長一碳納米管陣列。

10.一種碳納米管陣列的制備裝置，其包括：

一反應室，該反應室包括一進氣口和一出氣口；

一設置于該反應室內的一筒狀基底；其特征在于，

該碳納米管陣列的制備裝置進一步包括一設置于該筒狀基底內部的一加熱裝置。

11.如權利要求10所述的碳納米管陣列的制備裝置，其特征在于，該筒狀基底進一步包括一設置于該筒狀基底筒壁的開口。

12.如權利要求10所述的碳納米管陣列的制備裝置，其特征在于，該加熱裝置為一紅外線加熱燈管。

13.如權利要求10所述的碳納米管陣列的制備裝置，其特征在于，進一步包括一用于支撐所述筒狀基底的支撐體。