[發明專利]大功率半導體器件管座壓焊區去金工藝

無效

• 申請號: 200910248640.3
• 申請日: 2009-12-20
• 公開（公告）號: CN101740402A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 張帆;劉陽
• 申請（專利權）人: 錦州七七七微電子有限責任公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 錦州遼西專利事務所 21225
• 代理人: 李輝

技術領域

本發明涉及一種大功率半導體器件管座壓焊區去金工藝。

背景技術

隨著科技的發展，國內各行業需要的大功率器件越來越多。而在其 生產過程中，為了保證產品在使用過程中具有良好的可焊性，必須采用 鍍金管腿。由于現有的大功率器件管座生產工藝，無法在鍍金過程中使 壓焊區與管腿隔離，因而，壓焊區同時被鍍金。而半導體芯片的導電帶 為鋁層，無論采用金絲還是鋁絲鍵合，均存在金-鋁系統，存在可靠性隱 患，許多高尖端產品嚴禁采用金鋁系統。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種不存在金-鋁系統肝，可解除可 靠性隱患，將管座的壓焊區金層去除的大功率半導體器件管座壓焊區去 金工藝。

本發明的技術解決方案是：

大功率半導體器件管座壓焊區去金工藝，其特殊之處是：對欲處理 管座進行區域選擇性涂膠，不要使光刻膠粘到管座壓焊區；將涂完膠的 管座放到已恒溫的烘箱中烘烤10～50分鐘，所述的烘箱溫度為70～100 ℃；配制金腐蝕液，所述的金腐蝕液是由碘、碘化鉀和高純水按照重量 份數比1∶1∶2～1∶1∶4組成；用配好的金腐蝕液將壓焊區的金層去除； 再經去膠、沖洗、脫水和烘干，即可。

上述的大功率半導體器件管座壓焊區去金工藝，將腐蝕后的管座用 氮氣吹干后，放到顯微鏡下進行檢查，如果未腐蝕干凈，可進行再腐蝕。

本發明的優點是：由于將欲處理管座進行區域選擇性涂膠，可解決 大功率器件的金-鋁系統問題，解除可靠性隱患。

附圖說明

圖1為管座(以F型管座為例)的結構示意圖。

圖中：1-壓焊區，2-管腳，3-鍍鎳殼體

具體實施方式

實施例1

1.涂膠

如圖1所示，對欲處理管座進行區域選擇性涂光刻膠，即在鍍鎳殼 體3表面除壓焊區1以外部位和管腳2表面涂正性光刻膠，同時注意不 要使光刻膠粘到管座壓焊區1上。

2.烘烤

將涂完膠的管座放到已恒溫的烘箱中烘烤10分鐘，烘箱溫度為100 ℃。

3.配制金腐蝕液

取碘、碘化鉀和高純水按照重量份數比1∶1∶2混合配制金腐蝕液。

4.腐蝕

將烘好的管座從烘箱中取出，放到金腐蝕液中進行腐蝕，2～8分鐘 后，將管座取出，用高純水進行沖洗。

5.后處理

5.1檢查

將腐蝕后的管座用氮氣吹干后，放到顯微鏡下進行檢查，如果未腐 蝕干凈，可進行再腐蝕。

5.2去膠

將腐蝕好的管座放到去膠液(丙酮)中浸泡，完成去膠工藝。

5.3沖洗

將管座用高純水沖洗干凈。

5.4脫水

對管座進行脫水。

5.5烘干

將管座用紅外燈烘干。

實施例2

1.涂膠

如圖1所示，對欲處理管座進行區域選擇性涂光刻膠，即在鍍鎳殼 體3表面除壓焊區1以外部位和管腳2表面涂正性光刻膠，同時注意不 要使光刻膠粘到管座壓焊區1上。

2.烘烤

將涂完膠的管座放到已恒溫的烘箱中烘烤50分鐘，烘箱溫度為70 ℃。

3.配制金腐蝕液

取碘、碘化鉀和高純水按照重量份數比1∶1∶4混合配制金腐蝕液。

4.腐蝕

將烘好的管座從烘箱中取出，放到金腐蝕液中進行腐蝕，2～8分鐘 后，將管座取出，用高純水進行沖洗。

5.后處理

5.1檢查

將腐蝕后的管座用氮氣吹干后，放到顯微鏡下進行檢查，如果未腐 蝕干凈，可進行再腐蝕。

5.2去膠

將腐蝕好的管座放到去膠液(丙酮)中浸泡，完成去膠工藝。

5.3沖洗

將管座用高純水沖洗干凈。

5.4脫水

對管座進行脫水。

5.5烘干

將管座用紅外燈烘干。

實施例3

1.涂膠

如圖1所示，對欲處理管座進行區域選擇性涂光刻膠，即在鍍鎳殼 體3表面除壓焊區1以外部位和管腳2表面涂正性光刻膠，同時注意不 要使光刻膠粘到管座壓焊區1上。