[發(fā)明專利]半導體工藝生產(chǎn)流程中的測量數(shù)據(jù)的監(jiān)測方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910248082.0 | 申請日: | 2009-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN102117731A | 公開(公告)日: | 2011-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 牛海軍;楊麗霞;孫琦 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李麗 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導體 工藝 生產(chǎn)流程 中的 測量 數(shù)據(jù) 監(jiān)測 方法 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種半導體工藝生產(chǎn)流程中的測量數(shù)據(jù)的監(jiān)測方法和裝置。
背景技術(shù)
半導體工藝生產(chǎn)流程中的測量數(shù)據(jù)是反映前一個制程工藝結(jié)果的直接參數(shù),例如漲膜的厚度及均勻度、溝槽(trench)的深度等。前一個晶圓加工工序的機臺出現(xiàn)問題會導致晶圓的良率下降,產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)的異常波動。為了保證工藝的穩(wěn)定,減少生產(chǎn)線上發(fā)生異常的情況,必須有效地監(jiān)控測量數(shù)據(jù)。
傳統(tǒng)的線上監(jiān)控系統(tǒng)為用戶提供了單點或者連續(xù)幾點的監(jiān)控功能,所謂點是指一個測量數(shù)據(jù)點。線上監(jiān)控系統(tǒng)只能供用戶選擇一個參數(shù)進行監(jiān)控,不提供任何自動分析功能。并且線上監(jiān)控系統(tǒng)不允許一次取出過大的數(shù)據(jù),例如不允許一次取出一個月的測量數(shù)據(jù),而只允許一次取出一周的測量數(shù)據(jù)。一次允許取出的最大數(shù)據(jù)大小由線上監(jiān)控系統(tǒng)的性能決定,即,由于從線上監(jiān)控系統(tǒng)取數(shù)據(jù)會影響線上監(jiān)控系統(tǒng)本身的工作性能,一次取數(shù)據(jù)剛好會導致線上監(jiān)控系統(tǒng)工作癱瘓的數(shù)據(jù)量就是該線上監(jiān)控系統(tǒng)一次允許取出的最大數(shù)據(jù)量。如果需要進行測量數(shù)據(jù)的長期趨勢分析,只能人工分批將所需數(shù)據(jù)分部分依次取出,效率低下,無法實現(xiàn)對測量數(shù)據(jù)的自動監(jiān)控。另外,現(xiàn)有對測量數(shù)據(jù)的監(jiān)控通常只有在發(fā)生問題后工程師才會去查看發(fā)生問題的測量數(shù)據(jù),等到看到測量數(shù)據(jù)時,損失已經(jīng)造成。綜上,現(xiàn)有的線上監(jiān)控系統(tǒng)無法實現(xiàn)對測量數(shù)據(jù)的自動監(jiān)控,效率低下,并且無法預先發(fā)現(xiàn)異常的測量數(shù)據(jù)。
美國第US7,099,729號專利公開了一種半導體制造過程及合格率分析綜合實時管理方法,該方法在半導體制造過程中以多個項目檢測多個半導體產(chǎn)品,以產(chǎn)生及紀錄多個檢測結(jié)果,并以一預設(shè)規(guī)則將半導體產(chǎn)品分成多個種類,產(chǎn)生一初始數(shù)據(jù)以紀錄于一數(shù)據(jù)庫中,依一預設(shè)產(chǎn)品規(guī)則及參數(shù)來索引多個半導體產(chǎn)品種類及數(shù)據(jù)庫中相關(guān)的初始數(shù)據(jù),以計算一相關(guān)分析結(jié)果,并依照索引的半導體產(chǎn)品種類及初始數(shù)據(jù)來顯示分析結(jié)果。該專利的技術(shù)方案中僅僅提供了如何將檢測結(jié)果以帶有索引的方式存儲在數(shù)據(jù)庫中,在進行分析時可以靈活的查詢數(shù)據(jù),并未提出預先發(fā)現(xiàn)異常的測量數(shù)據(jù)的方法。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種半導體工藝生產(chǎn)過程中的測量數(shù)據(jù)的監(jiān)測方法和裝置,該方法和裝置能夠?qū)A的性能參數(shù)的測量數(shù)據(jù)進行自動監(jiān)控,并且能夠自動發(fā)現(xiàn)發(fā)生異常的性能參數(shù)。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實施例提供一種半導體工藝生產(chǎn)過程中測量數(shù)據(jù)的監(jiān)測方法,包括:
從實時系統(tǒng)中定期更新晶圓性能參數(shù)的測量數(shù)據(jù)至分析數(shù)據(jù)庫中;
根據(jù)預先設(shè)定的待分析性能參數(shù)信息和選用的分析規(guī)則信息,依照選用的分析規(guī)則對測量數(shù)據(jù)覆蓋的時間范圍的需求,從分析數(shù)據(jù)庫中取出滿足分析規(guī)則需求的時間范圍內(nèi)的待分析性能參數(shù)的測量數(shù)據(jù);
判斷從分析數(shù)據(jù)庫中取出的性能參數(shù)的測量數(shù)據(jù)是否違反了所述選用的分析規(guī)則的控制范圍,如果違反,則針對該違反選用分析規(guī)則的控制范圍的性能參數(shù)發(fā)送告警信息。
另一方面,本發(fā)明實施例還提供一種半導體工藝生產(chǎn)過程中測量數(shù)據(jù)的監(jiān)測裝置,包括:
更新單元,用于從實時系統(tǒng)中定期更新晶圓性能參數(shù)測量數(shù)據(jù)至分析數(shù)據(jù)庫中;
讀取單元,用于根據(jù)預先設(shè)定的待分析性能參數(shù)信息和選用的分析規(guī)則信息,依照選用的分析規(guī)則對測量數(shù)據(jù)覆蓋的時間范圍的需求,從分析數(shù)據(jù)庫中取出滿足分析規(guī)則需求的時間范圍內(nèi)的待分析性能參數(shù)的測量數(shù)據(jù);
判斷單元,用于判斷從分析數(shù)據(jù)庫中取出的性能參數(shù)的測量數(shù)據(jù)是否違反了所述選用的分析規(guī)則的控制范圍;
告警信息發(fā)送單元,用于當所述判斷單元的判斷結(jié)果為是時,針對該違反選用分析規(guī)則的控制范圍的性能參數(shù)發(fā)送告警信息。
通過本發(fā)明實施例提供的方法和裝置可以對晶圓的性能參數(shù)的測量數(shù)據(jù)進行自動監(jiān)控,并主動判斷性能參數(shù)的測量數(shù)據(jù)是否違反預先選用的分析規(guī)則的控制范圍,如果判斷違反了控制范圍,則主動發(fā)現(xiàn)該性能參數(shù)產(chǎn)生異常,相對于現(xiàn)有技術(shù)中工程師只能等到晶圓實際發(fā)生問題后才會去查看問題數(shù)據(jù),本發(fā)明實施例通過預先設(shè)定的規(guī)則對性能參數(shù)的測量數(shù)據(jù)進行主動的監(jiān)控,能夠預先發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)異常的性能參數(shù)數(shù)據(jù)。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發(fā)明實施例提供的一種半導體工藝生產(chǎn)流程中的測量數(shù)據(jù)的監(jiān)測方法的流程圖;
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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