[發明專利]電流生成電路

有效

• 申請號: 200910248080.1
• 申請日: 2009-12-31
• 公開（公告）號: CN101763137A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 楊大為
• 申請（專利權）人: 華亞微電子(上海)有限公司
• 主分類號: G05F3/30
• 分類號: G05F3/30
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳靖靚;李麗

1.一種電流生成電路，其特征在于，包括：

第一電流生成單元，包括工作在亞閾值區的MOS晶體管，生成與溫度成 正比的電流；

第二電流生成單元，包括工作在飽和區的MOS晶體管，生成與溫度無關 的電流；

所述第二電流生成單元生成的電流和第一電流生成單元生成的電流之差 為所述電流生成電路生成的第三電流。

2.如權利要求1所述的電流生成電路，其特征在于，所述第一電流生成單元 和第二電流生成單元由第一電壓源提供電壓。

3.如權利要求2所述的電流生成電路，其特征在于，所述第一電流生成單元 的MOS晶體管為高閾值電壓器件，所述第二電流生成單元的MOS晶體管為 低閾值電壓器件。

4.如權利要求3所述的電流生成電路，其特征在于，所述第一電流生成單元 包括：柵極連接在一起的第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管、以及第一 電阻，所述第一NMOS晶體管的源極通過第一電阻接第二電壓源，所述第二 NMOS晶體管的源極接第二電壓源，所述第二NMOS晶體管的漏極與柵極連 接，所述第一NMOS晶體管的漏源極電流為所述第一電流生成單元生成的電 流。

5.如權利要求3所述的電流生成電路，其特征在于，所述第一電流生成單元 包括：

第一輸入電流生成單元，生成與溫度成正比的第一輸入電流；

第一電流鏡單元，輸出與所述第一輸入電流成正比的第一輸出電流，所 述第一輸出電流為所述第一電流生成單元生成的電流。

6.如權利要求5所述的電流生成電路，其特征在于，所述第一輸入電流生成 單元包括：柵極連接在一起的第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管、以及 第一電阻，所述第一NMOS晶體管的源極通過第一電阻接第二電壓源，所述 第二NMOS晶體管的源極接第二電壓源，所述第二NMOS晶體管的漏極與柵 極連接，所述第一NMOS晶體管的漏源極電流為所述第一輸入電流。

7.如權利要求6所述的電流生成電路，其特征在于，所述第一電流鏡單元包 括柵極連接在一起的第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管和第三PMOS晶 體管，所述第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管和第三PMOS晶體管的源 極接第一電壓源，所述第一PMOS晶體管的漏極與柵極連接、并連接第一 NMOS管的漏極，所述第二PMOS晶體管的漏極連接第二NMOS管的漏極和 柵極，所述第三PMOS晶體管的源漏極電流為第一輸出電流。

8.如權利要求3所述的電流生成電路，其特征在于，所述第二電流生成單元 包括第二輸出電流生成單元，輸入第二輸入電流，生成與溫度無關的第二輸 出電流，所述第二輸出電流為所述第二電流生成單元生成的電流。

9.如權利要求8所述的電流生成電路，其特征在于，所述第二輸出電流生成 單元包括：柵極連接在一起的第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管和第五 NMOS晶體管、以及第二電阻，所述第三NMOS晶體管的源極通過第二電阻 連接至第二電壓源，所述第四NMOS晶體管和第五NMOS晶體管的源極接第 二電壓源，所述第四NMOS晶體管的漏極和柵極連接，所述第三NMOS晶體 管的漏極輸入第二輸入電流，所述第五NMOS晶體管的漏源極電流為第二輸 出電流。

10.如權利要求9所述的電流生成電路，其特征在于，所述第二電流生成單元 還包括第二電流鏡單元，生成所述第二輸入電流。

11.如權利要求10所述的電流生成電路，其特征在于，所述第二電流鏡單元 包括：柵極連接在一起的第四PMOS晶體管和第五PMOS晶體管，所述第四 PMOS晶體管和第五PMOS晶體管的源極接第一電壓源，所述第四PMOS晶 體管的漏極和柵極連接、并連接第三NMOS晶體管的漏極，所述第五PMOS 晶體管的漏極連接第四NMOS晶體管的柵極和漏極。

12.如權利要求2所述的電流生成電路，其特征在于，還包括第三電流鏡單元， 由工作在飽和區的MOS晶體管構成，生成與所述第三電流成正比的輸出電 流。

13.如權利要求12所述的電流生成電路，其特征在于，所述第三電流鏡單元 包括：第六PMOS晶體管和第七PMOS晶體管，所述第六PMOS晶體管和第 七PMOS晶體管的源極接第一電壓源，所述第六PMOS晶體管的柵極和漏極、 第七PMOS晶體管的柵極連接在一起，所述第六PMOS晶體管的源漏極電流 為第三電流，所述第七PMOS晶體管的源漏極電流為輸出電流。