[發明專利]一種隧穿場效應晶體管及其制造方法有效
| 申請號： | 200910247547.0 | 申請日： | 2009-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN101777580A | 公開（公告）日： | 2010-07-14 |
| 發明（設計）人： | 王鵬飛;臧松干;孫清清;張衛 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/49;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 場效應 晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
在一個具有第一種摻雜類型的半導體襯底上淀積形成第一層光刻膠；
掩膜曝光光刻出漏區需摻雜的圖形；
在上步處理的襯底上離子注入形成第一種摻雜類型的漏區；
第一層光刻膠剝離；
在上步處理的結構上淀積形成第一層硬質掩膜；
在上步處理的結構上淀積形成第二層光刻膠；
掩膜曝光刻蝕暴露出襯底；
刻蝕襯底，靠近漏區的一側形成凹陷溝道結構；
第一層硬質掩膜和第二層光刻膠剝離；
在上步處理的結構上氧化形成第一層絕緣薄膜；
在上步處理的結構上淀積形成第二層絕緣薄膜；
在上步處理的結構上淀積形成第一種導電薄膜；
在上步處理的結構上淀積形成第二種導電薄膜；
在上步處理的結構上淀積形成第三層光刻膠；
掩膜曝光刻蝕形成柵區；
在上步處理的結構上淀積形成第三層絕緣薄膜；
刻蝕形成邊墻；
刻蝕第二層絕緣薄膜；
在上步處理的結構上淀積形成第四層光刻膠；
掩膜曝光刻蝕暴露襯底；
與水平夾角80-90度的離子注入形成第二種摻雜類型的源區；
第四層光刻膠剝離；
在上步處理的結構上淀積形成第四層絕緣薄膜；
刻蝕形成通孔；
在上步處理的結構上淀積第三種導電薄膜形成電極。
2.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一層絕緣薄膜為氧化硅，其厚度范圍為0.1-1nm。
3.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二層絕緣薄膜為高介電常數介質，為氧化鉿、氧化鋯、氧化鑭、氧化鉭、氧化鍶或氧化銥，其厚度范圍為3-10nm。
4.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第三層絕緣薄膜為氧化硅或為氮化硅，其厚度范圍為10-500nm。
5.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第四層絕緣薄膜為氧化硅或為氮化硅，其厚度范圍為20-500nm。
6.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一種摻雜類型為n型摻雜，第二種摻雜類型為p型摻雜；或者所述的第一種摻雜類型為p型摻雜，第二種摻雜類型為n型摻雜。
7.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一種導電材料為氮化鈦、或氮化鉭，其形成的導體層的厚度范圍為2-30nm。
8.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二種導電材料為摻雜的多晶硅，其形成的導體層的厚度范圍為20-120nm。
9.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第三種導電材料為金屬鋁或金屬鎢，其形成的電極深度為10-200nm。
10.如權利要求6所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一種摻雜類型為n型摻雜，其摻雜濃度范圍為1016-1019/cm-3；所述第二種摻雜類型為p型摻雜，其摻雜濃度范圍為1017-1021cm-3。
11.如權利要求6所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一種摻雜類型為p型摻雜，其摻雜濃度范圍為1016-1019/cm-3；所述第二種摻雜類型為n型摻雜，其摻雜濃度范圍為1017-1021cm-3。
12.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一層硬質掩膜為氧化硅，其厚度范圍為10-30nm。?
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