[發明專利]改善反窄溝道效應及制作MOS晶體管的方法

無效

• 申請號: 200910247418.1
• 申請日: 2009-12-29
• 公開（公告）號: CN102110636A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 陳亮;楊林宏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/265;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種改善反窄溝道效應的方法，其特征在于，包括：

提供依次形成有淺溝槽的半導體襯底，所述淺溝槽內壁形成有襯氧化層；

對淺溝槽側壁進行有角度的離子注入。

2.根據權利要求1所述改善反窄溝道效應的方法，其特征在于，所述離子注入與半導體襯底垂直方向的角度為20°～45°。

3.根據權利要求2所述改善反窄溝道效應的方法，其特征在于，所述離子注入能量為小于等于100Kev，注入劑量為小于等于10¹⁴/cm²。

4.一種制作MOS晶體管的方法，其特征在于，包括：

提供依次形成有淺溝槽的半導體襯底，所述淺溝槽內壁形成有襯氧化層；

對淺溝槽側壁進行有角度的離子注入；

向淺溝槽內填充滿絕緣氧化層；

去除腐蝕阻擋層和墊氧化層，形成淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構之間的區域為有源區；

在有源區依次形成柵介質層與柵極，所述柵介質層與柵極構成柵極結構；

以柵極結構為掩模，在柵極兩側的半導體襯底內進離子注入，形成源/漏極延伸區；

在柵極結構兩側形成側墻后，在柵極結構及側墻兩側的半導體襯底內形成源/漏極。

5.根據權利要求4所述制作MOS晶體管的方法，其特征在于，所述離子注入與半導體襯底垂直方向的角度為20°～45°。

6.根據權利要求5所述制作MOS晶體管的方法，其特征在于，所述離子注入能量為小于等于100Kev，注入劑量為小于等于10¹⁴/cm²。????

7.根據權利要求6所述制作MOS晶體管的方法，其特征在于，所述MOS晶體導電類型為n型，注入離子是p型離子。

8.根據權利要求6所述制作MOS晶體管的方法，其特征在于，所述MOS晶體導電類型為p型，注入離子是n型離子。