[發明專利]形成自對準源區的方法無效
| 申請號： | 200910247327.8 | 申請日： | 2009-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN102110656A | 公開（公告）日： | 2011-06-29 |
| 發明（設計）人： | 任學慧;馬德敬;王艷琴;馮煒 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 對準 方法 | ||
1.一種形成自對準源區的方法，包括：
在形成沿位線方向的淺槽隔離二氧化硅層和沿字線方向的柵極的半導體晶圓上形成輕摻雜漏區；
沿字線方向形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層阻擋所述輕摻雜漏區、所述柵極以及所述輕摻雜漏區之間的淺槽隔離二氧化硅層，并暴露用于形成自對準源區的區域；
以所述圖案化的光刻膠層作為掩膜，對用于形成自對準源區的區域中的淺槽隔離二氧化硅層進行干法刻蝕，并對所述半導體晶圓執行源區離子注入；
對所述半導體晶圓進行低溫等離子體處理；
對所述半導體晶圓進行灰化處理和酸槽清洗。
2.如權利要求1所述的形成自對準源區的方法，其特征在于，所述低溫等離子體處理的溫度為50-100℃。
3.如權利要求2所述的形成自對準源區的方法，其特征在于，所述低溫等離子體處理的溫度為70℃。
4.如權利要求1所述的形成自對準源區的方法，其特征在于，所述低溫等離子體處理的偏壓為300-600w。
5.如權利要求4所述的形成自對準源區的方法，其特征在于，所述低溫等離子體處理的偏壓為400w。
6.如權利要求1所述的形成自對準源區的方法，其特征在于，所述低溫等離子體的處理時間為1-3分鐘。
7.如權利要求6所述的形成自對準源區的方法，其特征在于，所述低溫等離子體的處理時間為1分20秒。
8.如權利要求1所述的形成自對準源區的方法，其特征在于，所述低溫等離子體處理的氧氣流量為1300-1600sccm。
9.如權利要求8所述的形成自對準源區的方法，其特征在于，所述低溫等離子體處理的氧氣流量為1400sccm。
10.如權利要求1所述的形成自對準源區的方法，其特征在于，所述低溫等離子體處理的真空度為40mTorr。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
