[發明專利]等離子體顯示面板

無效

• 申請號: 200910247130.4
• 申請日: 2009-11-30
• 公開（公告）號: CN101752165A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 曹永錫;沈勉基;樸鉉基;文東建;許相烈
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01J17/49
• 分類號: H01J17/49;H01J17/02;H01J17/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;李娜娜

1.一種等離子體顯示面板，所述等離子體顯示面板包括：

前基底，在前基底上形成用于產生放電的多個放電電極；

后基底，在后基底上形成分隔放電室的障肋，后基底設置為與前基底面對；

光吸收層，設置在放電電極和前基底之間，光吸收層由多個金屬顆粒形成，并且放電電極由利用金屬顆粒作為晶種來生長的多個延伸部分形成。

2.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，光吸收層由鎳和金屬的合金形成，所述金屬也形成放電電極。

3.如權利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，光吸收層中的鎳與所述金屬的合金比例為1∶1至9∶1。

4.如權利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，形成光吸收層的鎳的合金中還包含硅、鐵和錳中的至少一種。

5.如權利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，放電電極包含鋁、銀和銅中的至少一種。

6.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，光吸收層具有能夠吸收外部光的深色。

7.如權利要求6所述的等離子體顯示面板，其中，光吸收層為黑色。

8.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，光吸收層的厚度為1nm至1000nm。

9.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，光吸收層的反射率為50％或更低。

10.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，放電電極的延伸部分具有圓柱形形狀。

11.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，利用離子鍍法、熱沉積法、濺射法和化學沉積法中的一種形成放電電極。

12.如權利要求1所述的等離子體顯示面板，所述等離子體顯示面板還包括設置在前基底和光吸收層之間的透明電極層。