[發(fā)明專利]帶隙參考電壓發(fā)生電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910247087.1
• 申請日: 2009-12-25
• 公開（公告）號: CN101782789A
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪升勛
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: G05F3/16
• 分類號: G05F3/16
• 代理公司: 北京博浩百睿知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11134
• 代理人: 宋子良;吳淑平

1.一種帶隙參考電壓發(fā)生電路，包括：

電流發(fā)生器，用來產(chǎn)生第一電流和第二電流；

電流控制器，所述電流控制器包括所述第一電流流過其中的第一電阻器、發(fā)射極連接到所述第一電阻器以及基極連接到節(jié)點(diǎn)的第一雙極性晶體管、以及基極連接到所述節(jié)點(diǎn)的第二雙極性晶體管，所述電流控制器在所述第一電阻器中產(chǎn)生正比于絕對溫度(PTAT)的電流；

反饋單元，用來將所述第一和所述第二電流控制為相等；以及

帶隙電壓輸出單元，用來產(chǎn)生對應(yīng)所述PTAT電流的參考電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶隙參考電壓發(fā)生電路，其中，所述第一電流對應(yīng)于所述PTAT電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶隙參考電壓發(fā)生電路，其中，所述帶隙參考電壓發(fā)生電路產(chǎn)生恒定的參考電壓而不考慮工藝偏差。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶隙參考電壓發(fā)生電路，其中，所述第一晶體管的所述發(fā)射極的面積是所述第二晶體管的發(fā)射極面積的n倍或更大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶隙參考電壓發(fā)生電路，其中，所述反饋單元采用負(fù)反饋。

6.一種帶隙參考電壓發(fā)生電路，包括：

第一和第二雙極性晶體管，所述第一和所述第二雙極性晶體管的基極之間彼此連接，所述第一雙極性晶體管的發(fā)射極面積是所述第二雙極性晶體管的發(fā)射極面積的n倍；

第一電阻器，第一電流流過所述第一電阻器，所述第一電阻器連接到所述第一雙極性晶體管的所述發(fā)射極；以及

反饋單元，連接到所述第二雙極性晶體管，以控制流過所述第二雙極性晶體管的集電極的第二電流，從而使得所述第二電流等于所述第一電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶隙參考電壓發(fā)生電路，其中，所述反饋單元采用負(fù)反饋。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶隙參考電壓發(fā)生電路，其中，所述反饋單元設(shè)置有參考電壓輸出單元，所述參考電壓輸出單元用來產(chǎn)生對應(yīng)于所述第一電流的恒定的參考電壓而不考慮工藝偏差。