[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器控制器和操作電可變非易失性存儲(chǔ)裝置的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910246901.8 | 申請日: | 2009-12-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101751348A | 公開(公告)日: | 2010-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | F-L·林;J-H·謝 | 申請(專利權(quán))人: | 超捷公司 |
| 主分類號(hào): | G06F12/16 | 分類號(hào): | G06F12/16;G06F11/00 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ)器 控制器 操作 可變 非易失性 存儲(chǔ) 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器控制器和操作易于隨時(shí)間遭受數(shù)據(jù)丟失的電可變非易失性存儲(chǔ)裝置的方法。
背景技術(shù)
非易失性存儲(chǔ)器在本領(lǐng)域中為公知。一個(gè)例子是電可變存儲(chǔ)裝置??梢詫⑦@些非易失性存儲(chǔ)裝置構(gòu)造為例如浮柵型或俘獲層型的。在任一情況中,電荷可以存儲(chǔ)在多晶硅浮柵上或在絕緣俘獲電荷層中。但迄今不為所知的一個(gè)事實(shí)是,根據(jù)這樣的設(shè)計(jì),這些存儲(chǔ)裝置中的一些不能保持存儲(chǔ)了諸如5年或5年以上的持續(xù)時(shí)間的電荷。因?yàn)槠駥﹄娍勺兎且资源鎯?chǔ)裝置的應(yīng)用在消費(fèi)電子領(lǐng)域,消費(fèi)者還沒有尋求到有需要對所精確存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)保持?jǐn)?shù)年。然而,要應(yīng)用這些裝置到工業(yè)應(yīng)用中,就需要這些裝置能夠?qū)Ρ4嬖诟呕蚍@層上的數(shù)據(jù)保持延長的時(shí)間段。
由Silicon?Storage?Technology(SST)公司制造的一種非易失性存儲(chǔ)器是NOR裝置并且被認(rèn)為可以保留十(10)年或更長。然而,該SST存儲(chǔ)器適合于存儲(chǔ)由處理器或控制器執(zhí)行的程序或代碼。當(dāng)用以存儲(chǔ)數(shù)據(jù),尤其是存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)時(shí),這樣的使用昂貴。在降低成本的努力中,針對使用所開發(fā)的一種類型的存儲(chǔ)器為NAND非易失性存儲(chǔ)器。該NAND非易失性存儲(chǔ)器的特征是具有多個(gè)塊,每一塊具有可同時(shí)擦除的多個(gè)位,該塊作為整體被同時(shí)編程。盡管NAND非易失性存儲(chǔ)器在基于每位的成本上比SST?NOR型非易失性存儲(chǔ)器更經(jīng)濟(jì),但它們遭受到數(shù)據(jù)保持能力的問題。
具體地說,已經(jīng)發(fā)現(xiàn)NAND非易失性存儲(chǔ)器遭受數(shù)據(jù)丟失讀取的保持能力。換言之,在NAND存儲(chǔ)器被編程或在其中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)后,即使其沒有經(jīng)歷諸如讀取、寫入等的任何電活動(dòng),數(shù)據(jù)丟失也隨時(shí)間發(fā)生。盡管這種數(shù)據(jù)損失對于消費(fèi)者使用(針對NAND存儲(chǔ)器被設(shè)計(jì)的使用)不重要,但對于工業(yè)應(yīng)用及長期存儲(chǔ)來說,這種數(shù)據(jù)丟失變得不可接收。
因此,需要解決易受這樣問題影響的非易失性存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)丟失的問題。
發(fā)明內(nèi)容
因此,在本發(fā)明中公開了一種操作具有非易失性存儲(chǔ)單元的陣列的非易失性存儲(chǔ)裝置的控制器。該非易失性存儲(chǔ)單元的陣列易于遭受到存儲(chǔ)在所述陣列的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)的丟失。所述控制器接口于主機(jī)裝置并接收來自該主機(jī)裝置的時(shí)間戳信號(hào)。所述控制器包括處理器,和具有存儲(chǔ)在其中的用于由該處理器執(zhí)行的程序代碼的存儲(chǔ)器。所述程序代碼配置為由該控制器接收來自該主機(jī)裝置的該時(shí)間戳信號(hào);比較該接收的時(shí)間戳信號(hào)與所存儲(chǔ)的信號(hào),其中該所存儲(chǔ)的信號(hào)是由該控制器在時(shí)間上較早地從該主機(jī)裝置接收的時(shí)間戳信號(hào);以及根據(jù)該比較步驟確定何時(shí)針對存儲(chǔ)在該存儲(chǔ)器陣列中的數(shù)據(jù)執(zhí)行數(shù)據(jù)保持和刷新操作。
另外,在本發(fā)明中公開了一種操作具有非易失性存儲(chǔ)單元的陣列的非易失性存儲(chǔ)裝置的控制器。所述非易失性存儲(chǔ)單元的陣列具有多個(gè)塊,每個(gè)塊具有一起被擦除的多個(gè)存儲(chǔ)單元,所述控制器包括處理器,和具有存儲(chǔ)在其中的用于由該處理器執(zhí)行的程序代碼的存儲(chǔ)器。所述程序代碼被配置為a)讀取來自所述塊之一的每一個(gè)該存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù);b)如果需要糾正數(shù)據(jù),糾正數(shù)據(jù)以形成糾正的數(shù)據(jù);c)如果存在糾正的數(shù)據(jù),將糾正的數(shù)據(jù)寫到所述陣列的不同塊,并且如果讀取的數(shù)據(jù)是未糾正的,則不寫入該讀取的數(shù)據(jù);以及d)對該陣列的不同塊重復(fù)執(zhí)行步驟(a)-(c)直到所有塊已被讀取。
本發(fā)明還涉及一種操作具有非易失性存儲(chǔ)單元的陣列的非易失性存儲(chǔ)裝置的控制器。所述非易失性存儲(chǔ)單元的陣列具有多個(gè)塊,每個(gè)塊具有一起被擦除的多個(gè)存儲(chǔ)單元,所述控制器包括處理器,和具有存儲(chǔ)在其中的用于由該處理器執(zhí)行的程序代碼的存儲(chǔ)器。所述程序代碼被配置為a)讀取來自所述塊之一的每一個(gè)該存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)信號(hào);b)比較該讀取的數(shù)據(jù)信號(hào)與容限信號(hào);c)如果比較步驟(b)的結(jié)果指示需要將對應(yīng)于該數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)寫到不同的存儲(chǔ)單元,將對應(yīng)于該數(shù)據(jù)信號(hào)的該數(shù)據(jù)寫入所述陣列的不同塊的不同存儲(chǔ)單元,否則的話,不寫入該數(shù)據(jù);以及d)對該陣列的不同塊重復(fù)執(zhí)行步驟a)-c)直到所有塊已被讀取。
本發(fā)明還涉及用于執(zhí)行每一個(gè)上述確認(rèn)的功能的方法。
附圖說明
圖1為用于實(shí)施本發(fā)明的方法的本發(fā)明的系統(tǒng)的塊級圖;
圖2為能夠用在本發(fā)明中的NAND型存儲(chǔ)器的塊級圖。
具體實(shí)施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于超捷公司,未經(jīng)超捷公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910246901.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
- 用于控制非易失性存儲(chǔ)器的控制器
- 處理器、存儲(chǔ)器、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、系統(tǒng)LSI及其驗(yàn)證方法
- 存儲(chǔ)和檢索處理系統(tǒng)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)和性能監(jiān)視方法
- 用于控制半導(dǎo)體裝置的方法
- 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置及其測試方法
- 存儲(chǔ)器裝置及可促進(jìn)張量存儲(chǔ)器存取的方法
- 使用雙通道存儲(chǔ)器作為具有間隔的單通道存儲(chǔ)器
- 用于管理存儲(chǔ)器訪問操作的方法和系統(tǒng)
- 存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)裝置和存儲(chǔ)裝置的操作方法
- 具有部分組刷新的存儲(chǔ)器





