[發(fā)明專利]LLC變換器同步FET控制器及其操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910246828.4
• 申請日: 2009-10-30
• 公開（公告）號: CN102055342A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設計）人: R·雷迪
• 申請（專利權）人: 世系動力公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335;H02M1/08
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種同步場效應晶體管(FET)功率控制器，包括：

第一整流FET；

耦合到所述第一整流FET的第一驅(qū)動器，其被配置為：

(a)如果所述第一驅(qū)動器感測到所述第一整流FET的激活體二極管導通電流，則激活所述第一整流FET，以及

(b)如果所述第一驅(qū)動器接收到第一去激活信號，則去激活所述第一整流FET；以及

第一主FET，其被通過所述第一去激活信號的延遲去激活；并且其中，所述延遲減小所述第一整流FET的去激活體二極管導通電流的導通時間的持續(xù)時間。

2.如權利要求1的功率控制器，其中所述第一去激活信號的所述延遲使所述第一整流FET的所述去激活體二極管導通電流的所述導通時間的所述持續(xù)時間最小化。

3.如權利要求1的功率控制器，其中所述第一去激活信號的所述延遲是可編程的。

4.如權利要求1的功率控制器，其中所述驅(qū)動器被配置為：如果所述驅(qū)動器感測到作為去激活體二極管導通電流的體導通電流，則不激活所述整流FET。

5.如權利要求1的功率控制器，其中所述第一整流FET的所述激活體二極管導通電流在所述第一主FET之前和在所述第一整流FET被激活之前開始。

6.如權利要求1的功率控制器，進一步包括：

第二整流FET；

耦合到所述第二整流FET的第二驅(qū)動器，其被配置為：

(a)如果所述第二驅(qū)動器感測到所述第二整流FET的第二激活體二極管導通電流，則激活所述第二整流FET，以及

(b)如果所述第二驅(qū)動器接收到第二去激活信號，則去激活所述第二整流FET；以及

第二主FET，其被所述第二去激活信號的第二延遲去激活，其中，所述第二延遲減小了所述第二整流FET的第二去激活體二極管導通電流的導通時間的持續(xù)時間。

7.如權利要求6的功率控制器，其中所述第一主FET和所述第二主FET不同時激活。

8.如權利要求6的功率控制器，進一步包括壓控振蕩器，其耦合到所述第一和第二整流FET以產(chǎn)生所述去激活信號。

9.如權利要求1的功率控制器，進一步包括：所述第一整流FET在所述第一整流FET被所述第一驅(qū)動器激活后具有溝道導通路徑。

10.如權利要求1的功率控制器，其中所述FET包括金屬氧化物半導體場效應晶體管(“MOSFET”)。