[發明專利]形成碳納米管的方法

有效

• 申請號: 200910246780.7
• 申請日: 2009-12-01
• 公開（公告）號: CN101746717A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 王曉峰;尹洪植;呂寅碩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種形成碳納米管的方法，包括：

在導電區域的側壁上形成催化劑金屬層，該導電區域設置在下面的基板 上；

從該催化劑金屬層生長多個間隔開的碳納米管，該多個間隔開的碳納米 管與該基板的上表面間隔開；以及

將該多個碳納米管暴露到有機溶劑，由此使該多個碳納米管變濕，并且 響應于由該有機溶劑提供的粘合力而使得該多個間隔開的碳納米管吸附到 該基板的上表面上，

其中通過給該多個碳納米管施加離心力執行所述暴露。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述施加離心力包括以3000rpm至 5000rpm范圍內的速度旋轉該基板。

3.一種形成碳納米管的方法，包括：

在導電區域的側壁上形成催化劑金屬層，該導電區域設置在下面的基板 上；

從該催化劑金屬層生長多個間隔開的碳納米管，該多個間隔開的碳納米 管與該基板的上表面間隔開；以及

將該多個碳納米管暴露到有機溶劑，由此使該多個碳納米管變濕，并且 響應于由該有機溶劑提供的粘合力而使得該多個間隔開的碳納米管吸附到 該基板的上表面上，

其中所述暴露包括給該多個碳納米管施加離心力而同時將該多個碳納 米管暴露到有機溶劑。

4.如權利要求3所述的方法，還包括：在該基板的表面上形成該導電區 域；并且其中所述生長包括從該催化劑金屬層的側壁且平行于該表面生長該 多個碳納米管。

5.一種形成碳納米管的方法，包括：

在導電區域的側壁上形成催化劑金屬層，該導電區域設置在下面的基板 上；

從該催化劑金屬層生長多個間隔開的碳納米管，該多個間隔開的碳納米 管與該基板的上表面間隔開；以及

將該多個碳納米管暴露到有機溶劑，由此使該多個碳納米管變濕，并且 響應于由該有機溶劑提供的粘合力而使得該多個間隔開的碳納米管吸附到 該基板的上表面上，

其中所述暴露包括在該多個碳納米管上旋涂有機溶劑。

6.如權利要求5所述的方法，還包括：在該基板的表面上形成該導電區 域；并且其中所述生長包括從該催化劑金屬層的側壁且平行于該表面生長該 多個碳納米管。

7.如權利要求5所述的方法，其中該揮發性有機溶劑包括選自由丙酮、 二甲苯和異丙醇組成的組中的任何一個。

8.一種形成碳納米管的方法，包括：

在導電區域的側壁上形成催化劑金屬層，該導電區域設置在下面的基板 上；

從該催化劑金屬層生長多個間隔開的碳納米管，該多個間隔開的碳納米 管與該基板的上表面間隔開；以及

將該多個碳納米管暴露到有機溶劑，由此使該多個碳納米管變濕，并且 響應于由該有機溶劑提供的粘合力而使得該多個間隔開的碳納米管吸附到 該基板的上表面上，

其中該基板包括其上的電絕緣層；

其中所述生長包括在該電絕緣層上沿著平行于表面的方向生長該多個 間隔開的碳納米管；以及

其中所述暴露包括將有機溶劑旋涂到該電絕緣層的該表面上。

9.一種形成碳納米管的方法，包括：

在基板上形成絕緣層；

在該絕緣層上形成金屬結構；

在該金屬結構的側壁上形成催化劑間隔物；

從該催化劑間隔物的側表面生長多個碳納米管，該多個碳納米管與該絕 緣層的上表面間隔開；

旋轉其上具有該碳納米管的該基板；以及

在該絕緣層上提供揮發性有機溶劑以使該碳納米管變濕，使得由于由該 揮發性有機溶劑提供的粘合力而將該多個碳納米管吸附到該絕緣層的該上 表面上。

10.如權利要求9所述的方法，其中該變濕的碳納米管在平行于該絕 緣層的頂表面的方向上延伸。

11.如權利要求9所述的方法，其中該金屬結構包括生長該碳納米管的 金屬層圖案，并且該金屬層圖案包括選自由鎳、鈷、鐵和鈦組成的組中的至 少一個。