[發明專利]鋁互連線結構和形成鋁互連線結構的方法有效
| 申請號： | 200910246101.6 | 申請日： | 2009-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN102082115A | 公開（公告）日： | 2011-06-01 |
| 發明（設計）人： | 薛浩;任小兵;蔣昆坤;王吉偉;任華 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 互連 結構 形成 方法 | ||
1.一種形成鋁互連線結構的方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上依次形成下層阻擋層、鋁層和上層阻擋層；
過刻蝕所述上層阻擋層，暴露出部分鋁層；
在所述暴露出的鋁層側壁形成鈍化層；
繼續刻蝕所述鋁層并刻蝕下層阻擋層，形成鋁互連線結構。
2.如權利要求1所述的形成鋁互連線結構的方法，其特征在于，在所述暴露出的鋁層側壁形成鈍化層步驟包括：利用含氟有機氣體對所述暴露出的鋁層側壁進行預處理，在所述暴露出的鋁層側壁形成氟化鋁鈍化層。
3.如權利要求2所述的形成鋁互連線結構的方法，其特征在于，所述含氟有機氣體選自四氟甲烷、三氟甲烷、二氟甲烷以及一氟甲烷的其中一種或者其組合。
4.如權利要求1～3任一項所述的形成鋁互連線結構的方法，其特征在于，所述下層阻擋層為鈦層、氮化鈦層或者鈦層和氮化鈦層的復合結構。
5.如權利要求1～3任一項所述的形成鋁互連線結構的方法，其特征在于，所述上層阻擋層為鈦層、氮化鈦層或者鈦層和氮化鈦層的復合結構。
6.一種鋁互連線結構，包括下層阻擋層，位于所述下層阻擋層上的鋁互連線，以及位于所述鋁互連線上的上層阻擋層；其特征在于，在鄰近上層阻擋層的部分鋁互連線的側壁形成有鈍化層。
7.如權利要求6所述的鋁互連線結構，其特征在于，所述鈍化層為氟化鋁。
8.如權利要求6或7所述的鋁互連線結構，其特征在于，所述下層阻擋層為鈦層、氮化鈦層或者鈦層和氮化鈦層的復合結構。
9.如權利要求6或7所述的鋁互連線結構，其特征在于，所述上層阻擋層為鈦層、氮化鈦層或者鈦層和氮化鈦層的復合結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
