[發明專利]一種采用氦氫氣體混合共稀釋法制備微晶硅鍺薄膜的方法

無效

• 申請號: 200910244848.8
• 申請日: 2009-12-17
• 公開（公告）號: CN101736321A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 張建軍;張麗平;倪牮;曹宇;王先寶;趙穎;耿新華
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/42;H01L31/18
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種采用氦氫氣體混合共稀釋法制備微晶硅鍺薄膜的方法，其特征在于包括下述步驟：1)將帶有T的玻璃襯底G放在真空室內，本底真空高于2×10^-4Pa；2)在向反應室通入反應氣體硅烷和鍺烷、稀釋氣體氦氣和氫氣的條件下，采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積微晶硅鍺薄膜。

2.根據權利要求1所述采用氦氫氣體混合共稀釋法制備微晶硅鍺薄膜的方法，其特征在于：所述帶有T的玻璃襯底G厚度為1.5mm-2.0mm，鍍有的透明導電薄膜T為ZnO膜、SnO₂膜或SnO₂-ZnO復合膜。

3.根據權利要求1所述采用氦氫氣體混合共稀釋法制備微晶硅鍺薄膜的方法，其特征在于：所述反應氣體硅烷和鍺烷的流量為：：硅烷(5-10)sccm、鍺烷(0.5-1.0)sccm，稀釋氣體氫氣的流量為：(100-200)sccm、氦氣與氫氣的流量比為1∶1～5。

4.根據權利要求1所述采用氦氫氣體混合共稀釋法制備微晶硅鍺薄膜的方法，其特征在于：所述沉積微晶硅鍺薄膜的工藝參數為：輝光激勵頻率13.56MHz-100MHz；輝光功率密度0.1W/cm²-0.6W/cm²；反應氣體壓強60Pa-180Pa；襯底表面溫度100℃-200℃。