[發(fā)明專利]窗口層為p型微晶硅鍺的硅鍺薄膜太陽電池及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910244847.3
• 申請(qǐng)日: 2009-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN101740648A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張建軍;尚澤仁;倪牮;曹宇;王先寶;趙穎;耿新華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南開大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/042
• 分類號(hào): H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 天津佳盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種窗口層為p型微晶硅鍺的硅鍺薄膜太陽電池，包括透明襯底、透明導(dǎo)電薄膜、窗口層、本征層、N⁺層和金屬背電極，其特征在于：窗口層為p型微晶硅鍺薄膜。

2.一種如權(quán)利要求1所述窗口層為p型微晶硅鍺的硅鍺薄膜太陽電池的制備方法，采用甚高頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備制備，其特征在于制備方法包括下述步驟：1)將帶有透明導(dǎo)電膜的玻璃襯底放在真空室內(nèi)，本底真空高于2×10^-4Pa；2)在向反應(yīng)室通入反應(yīng)氣體硅烷、氟化鍺、硼烷和氫氣的條件下，沉積p型微晶硅鍺薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述窗口層為p型微晶硅鍺的硅鍺薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：所述帶有透明導(dǎo)電膜的玻璃襯底厚度為0.5毫米-1.5毫米，鍍有的透明導(dǎo)電薄膜為ZnO膜、SnO₂膜或SnO₂-ZnO復(fù)合膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求21所述窗口層為p型微晶硅鍺的硅鍺薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：所述反應(yīng)氣體硅烷、氟化鍺、硼烷和氫氣的流量為：硅烷(5-10)sccm；氟化鍺(0.5-2.0)sccm；硼烷(0.05-0.3)sccm；氫氣(100-200)sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求21所述窗口層為p型微晶硅鍺的硅鍺薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：所述沉積p型微晶硅鍺薄膜的工藝參數(shù)為：輝光激勵(lì)頻率70MHz；輝光功率密度(100-500)毫瓦/cm²；反應(yīng)氣體壓強(qiáng)大于0.3Torr；襯底表面溫度150℃-220℃。