[發明專利]一種氫等離子體氛圍中鋁誘導晶化多晶硅薄膜的制備方法無效
| 申請號： | 200910244845.4 | 申請日： | 2009-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN101724901A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發明（設計）人： | 羅翀;李娟;孟志國;吳春亞;熊紹珍 | 申請（專利權）人： | 南開大學 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B28/02 |
| 代理公司： | 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 等離子體 氛圍 誘導 多晶 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氫等離子體氛圍中鋁誘導晶化多晶硅薄膜的制備方法，其 特征在于步驟如下：
1)在襯底上沉積包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金屬鋁薄膜制得多層薄 膜；
2)將上述多層薄膜放入退火爐中，將退火爐抽真空并將退火爐升溫至退火 溫度；
3)通入氫氣并通過設置于退火爐內的氫等離子體發生源產生氫等離子體， 使多層薄膜暴露于氫等離子體氛圍中；
4)在退火爐溫度恒定條件下，進行退火；
5)關閉氫等離子體發生源，停止通氫氣，二次抽真空，待自然降溫后從退 火爐中取出，即可制得完全晶化的多晶硅薄膜材料。
2.根據權利要求1所述氫等離子體氛圍中鋁誘導晶化多晶硅薄膜的 制備方法，其特征在于：所述退火溫度為450℃～550℃。
3.根據權利要求1所述氫等離子體氛圍中鋁誘導晶化多晶硅薄膜的 制備方法，其特征在于：所述氫等離子體發生源為射頻輝光放電、微波激發 或熱輔助方法產生的近程或遠程氫等離子體源。
4.根據權利要求1所述氫等離子體氛圍中鋁誘導晶化多晶硅薄膜的 制備方法，其特征在于：所述氫氣的流量為15sccm～60sccm。
5.根據權利要求1所述氫等離子體氛圍中鋁誘導晶化多晶硅薄膜的 制備方法，其特征在于：所述退火的時間為不少于2小時。
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