[發(fā)明專利]一種集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法和用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910244558.3 | 申請日: | 2009-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN102114584A | 公開(公告)日: | 2011-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張昆;章明溪;黃小凱 | 申請(專利權(quán))人: | 北京有色金屬與稀土應(yīng)用研究所 |
| 主分類號: | B23K35/40 | 分類號: | B23K35/40;B23K35/30 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 朱麗華 |
| 地址: | 100012*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成電路 封裝 ausn20 合金 制備 方法 用途 | ||
1.一種集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法,所述的AuSn20合金釬料的成分組成及質(zhì)量百分比為:Sn:20%±1%,Au:余量;其特征在于制備方法步驟如下:
1)按Sn:20%±1%,Au:余量的配比范圍計(jì)算、稱重,準(zhǔn)備高純金和高純錫材料;
2)將金和錫放入真空熔鑄爐的氧化鋁坩堝中;
3)封爐,抽真空至4~6Pa;
4)升溫,控制升溫速度25~35℃/分鐘;
5)待金和錫全部熔化后,控制熔體的溫度在500~600℃之間,精練4~6分鐘,使其充分合金化,并充分脫氣;
6)澆注,澆注溫度在500~600℃之間,澆注在石墨模中,得到AuSn20合金棒;
7)將得到的AuSn20合金棒放入帶底孔的石英管中,采用高頻感應(yīng)圈加熱;
8)封爐,抽真空至4~6Pa;
9)升溫,控制升溫速度50~60℃/分鐘;
10)待AuSn20合金棒熔化后,控制熔體的溫度在500~600℃之間,并精煉2~3分鐘;
11)使用真空急冷甩帶機(jī)甩帶,讓熔融的合金液體接觸高速旋轉(zhuǎn)的銅輥,合金液體急速冷卻凝固在甩帶機(jī)中的銅輥表面,形成很薄的帶材;甩帶時(shí)熔體的溫度控制在500~600℃之間,由石英管上口通入高壓氮?dú)?,氮?dú)鈮毫?0~15大氣壓,使AuSn20合金熔體從石英管底孔噴出;采用急冷甩帶技術(shù)加工成AuSn20合金帶材釬料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法,其特征在于:將得到的AuSn20合金帶材釬料軋制加工,制成符合設(shè)定厚度要求的箔帶材。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法,其特征在于:將軋制的AuSn20合金合格的合金箔帶材按照設(shè)定的尺寸規(guī)格進(jìn)行沖壓加工,制備對應(yīng)規(guī)格的片或環(huán)狀的深加工制品。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法,其特征在于:進(jìn)一步表面處理,將加工好的AuSn20合金箔帶材或深加工制品用酸性清洗液或堿性清洗液通過浸泡法或攪拌法進(jìn)行清洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法,其特征在于:所述石英管底孔直徑Φ0.8~1.5mm,控制真空急冷甩帶機(jī)的銅輥的線速度為30~40m/s;石英管底孔距銅輥表面距離1~4mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法,其特征在于:所述高純金的純度為5N;所述高純錫的純度為5N。
7.一種集成電路封裝用AuSn20合金釬料的用途,其特征在于:它是用AuSn20合金通過急冷甩帶再經(jīng)壓力加工制成高可靠集成電路用合金釬料帶。
8.一種集成電路封裝用AuSn20合金釬料的用途,其特征在于:它是用AuSn20合金通過急冷甩帶再經(jīng)壓力加工制成高可靠集成電路用合金釬料預(yù)成型制品。
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