[發明專利]半絕緣柱超結MOSFET結構無效
| 申請號： | 200910244530.X | 申請日： | 2009-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN102117830A | 公開（公告）日： | 2011-07-06 |
| 發明（設計）人： | 李俊峰;鐘匯才;梁擎擎 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 柱超結 mosfet 結構 | ||
1.一種半絕緣柱超結MOSFET結構，其特征在于，該結構包括：
襯底重摻雜區(8)；
位于襯底重摻雜區(8)之上的外延漂移區(9)；
位于襯底重摻雜區(8)之上且分別位于外延漂移區(9)兩側的半絕緣柱區(7)；
在外延漂移區(9)上部兩側分別形成的阱區(6)；
在阱區(6)上部形成的源區(4)和阱接觸濃注入區(5)；
在外延漂移區(9)之上且位于兩個源區(4)之間的柵極(1)；
覆蓋于柵極(1)及源區(4)、阱接觸濃注入區(5)和半絕緣柱區(7)之上的絕緣層(2)；以及
位于柵極(1)兩側可以向源區(4)和阱接觸重注入區(5)施加電位的接觸孔(3)。
2.根據權利要求1所述的半絕緣柱超結MOSFET結構，其特征在于，所述半絕緣柱區(7)是單一材料結構，或者是半絕緣材料和絕緣材料的復合結構。
3.根據權利要求2所述的半絕緣柱超結MOSFET結構，其特征在于，所述半絕緣柱區(7)是半絕緣材料和絕緣材料的復合結構時，半絕緣材料層位于靠外延漂移區(9)的一側。
4.根據權利要求1、2或3所述的半絕緣柱超結MOSFET結構，其特征在于，所述半絕緣材料為摻氧多晶硅，該摻氧多晶硅中氧原子含量在15～35％之間。
5.根據權利要求1所述的半絕緣柱超結MOSFET結構，其特征在于，當該結構用于縱向N型DMOSFET結構時，在外延漂移區(9)進行N型摻雜。
6.根據權利要求1所述的半絕緣柱超結MOSFET結構，其特征在于，當該結構用于縱向P型DMOSFET結構時，在外延漂移區(9)進行P型摻雜。
7.根據權利要求5或6所述的半絕緣柱超結MOSFET結構，其特征在于，該縱向N型或P型DMOSFET結構是平面型結構，或者是槽柵結構。
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