[發明專利]基于一維光子晶體的多波長垂直腔面發射激光器及制備方法

無效

• 申請號: 200910244429.4
• 申請日: 2009-12-30
• 公開（公告）號: CN101764354A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 關寶璐;郭霞;張敬蘭;任秀娟;郭帥;李碩;沈光地
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/06
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 吳蔭芳

1.基于一維光子晶體的多波長垂直腔面發射激光器，該激光器為內腔接觸式的層疊結構，正向電極層(1)設置在p型歐姆接觸層(5)上，歐姆接觸層(5)以下依次為鋁砷化鎵氧化電流限制層(6)、有源區(7)、n型鋁砷化鎵層(8)、n型砷化鎵層(9)、n型砷化鎵襯底(10)、襯底電極層(11)，其特征在于：歐姆接觸層(5)以上設置有相位調節層(13)，相位調節層(13)之上為交替生長的19對鋁砷化鎵層(3)、砷化鎵層(2)，構成激光器一頭的分布反饋布拉格反射鏡(DBR)結構；另外，n型鋁砷化鎵層(8)與n型砷化鎵層(9)交替生長26對，構成激光器另一頭的分布反饋布拉格反射鏡(DBR)結構，其中，每層鋁砷化鎵層(3)、砷化鎵層(2)、n型鋁砷化鎵層(8)、n型砷化鎵層(9)的厚度為激射波長λ的四分之一的整數倍；所述相位調節層(13)采用具有透光性的材料。

2.基于一維光子晶體的多波長垂直腔面發射激光器，該激光器為內腔接觸式的層疊結構，正向電極層(1)設置在p型歐姆接觸層(5)上，歐姆接觸層(5)以下依次為鋁砷化鎵氧化電流限制層(6)、有源區(7)、n型鋁砷化鎵層(8)、n型砷化鎵層(9)、n型砷化鎵襯底(10)、襯底電極層(11)，其特征在于：歐姆接觸層(5)以上設置有相位調節層(13)，相位調節層(13)之上為交替生長的7對Si₃N₄/SiO₂，構成激光器一頭的分布反饋布拉格反射鏡(DBR)結構；另外，n型鋁砷化鎵層(8)與n型砷化鎵層(9)交替生長26對，構成激光器另一頭的分布反饋布拉格反射鏡(DBR)結構，其中，Si₃N₄層、SiO₂層、n型鋁砷化鎵層(8)、n型砷化鎵層(9)的厚度為激射波長λ的四分之一的整數倍；所述相位調節層(13)采用具有透光性的材料。

3.如權利要求1或2所述的基于一維光子晶體的多波長垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述構成相位調節層(13)的材料是鋁砷化鎵或者是砷化鎵。

4.如權利要求1或2所述的基于一維光子晶體的多波長垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述襯底(10)的材料為n型摻雜砷化鎵。

5.如權利要求1或2所述的基于一維光子晶體的多波長垂直腔面發射激光?器，其特征在于：所述鋁砷化鎵氧化電流限制層結構(6)為Al_0.98Ga_0.12As材料，并采用Al_0.98Ga_0.12As氧化技術對激光器注入電流進行限制。

6.如權利要求1或2所述的基于一維光子晶體的多波長垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述有源區(7)為異質結量子阱結構或為多有源區帶間量子級聯結構。