[發(fā)明專(zhuān)利]一種智能卡及訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910244079.1
• 申請(qǐng)日: 2009-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101840520A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈慶剛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京握奇數(shù)據(jù)系統(tǒng)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06K17/00
• 分類(lèi)號(hào): G06K17/00;G06K19/073
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及智能卡領(lǐng)域，尤其涉及一種智能卡及訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存的方法。

背景技術(shù)

智能卡硬件結(jié)構(gòu)一般包括中央處理器(CPU)、隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)。EEPROM是非易失存儲(chǔ)單元，因其成本高，存儲(chǔ)空間小等原因逐漸被技術(shù)趨于成熟、成本較低、存儲(chǔ)空間較大的NOR?FLASH和NAND?FLASH所取代。NOR?FLASH和NAND?FLASH都是閃存芯片，它們是非易失性存儲(chǔ)器，以塊為單位進(jìn)行擦除和再編程。

在實(shí)際的程序編寫(xiě)過(guò)程中，需要對(duì)閃存進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)時(shí)，對(duì)它的讀寫(xiě)操作需要按塊進(jìn)行擦除，然后再進(jìn)行寫(xiě)入，一般這個(gè)過(guò)程是通過(guò)在所編寫(xiě)的主程序中調(diào)用特定的閃存接口函數(shù)來(lái)完成。特別是，如果程序只需要讀寫(xiě)閃存的某個(gè)字節(jié)，則需要先將目標(biāo)字節(jié)所在的塊讀到RAM空間中，在RAM空間中對(duì)目標(biāo)字節(jié)修改后，再將RAM空間的數(shù)據(jù)寫(xiě)回到閃存中。通過(guò)這種方式達(dá)到修改某個(gè)字節(jié)的目的，對(duì)于一些程序設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)十分不便。

再如，在C語(yǔ)言程序中要修改結(jié)構(gòu)體中的某個(gè)變量，則需要在程序中調(diào)用大量的閃存接口函數(shù)來(lái)進(jìn)行修改。首先，要在RAM中創(chuàng)建結(jié)構(gòu)體的緩沖，計(jì)算出結(jié)構(gòu)體的大小，然后通過(guò)閃存接口函數(shù)從閃存中讀取結(jié)構(gòu)體的數(shù)據(jù)到RAM中的緩沖，再對(duì)結(jié)構(gòu)體中需要修改的變量進(jìn)行修改，最后，再由閃存接口函數(shù)將結(jié)構(gòu)體數(shù)據(jù)寫(xiě)回到閃存中。如果程序經(jīng)常需要通過(guò)結(jié)構(gòu)體的方式來(lái)修改保存在閃存中的結(jié)構(gòu)體數(shù)據(jù)，那么就需要頻繁的在RAM空間中創(chuàng)建結(jié)構(gòu)體的緩沖，將數(shù)據(jù)修改完成后還需要釋放這部分RAM空間。如果RAM空間管理不善，很容易生成RAM空間碎片，同時(shí)對(duì)于代碼的可讀性、精簡(jiǎn)性都會(huì)帶來(lái)很大的影響。

特別是對(duì)于一些移植項(xiàng)目，如果在原開(kāi)發(fā)平臺(tái)程序采用C語(yǔ)言編寫(xiě)，選取按字節(jié)采用指針的方式訪(fǎng)問(wèn)RAM中的結(jié)構(gòu)體空間，而目標(biāo)開(kāi)發(fā)平臺(tái)程序如果需要將結(jié)構(gòu)體數(shù)據(jù)保存在閃存中，那么按字節(jié)采用指針?lè)绞皆L(fǎng)問(wèn)閃存空間的結(jié)構(gòu)體數(shù)據(jù)，就要多次調(diào)用閃存接口函數(shù)，并且大量修改原程序代碼，會(huì)給程序的移植帶來(lái)很大的不利，而且容易產(chǎn)生錯(cuò)誤。

綜上所述，現(xiàn)有訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存的方法需要在主程序體中調(diào)用大量的閃存接口函數(shù)，造成對(duì)閃存的訪(fǎng)問(wèn)繁瑣并且易出現(xiàn)錯(cuò)誤的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存的方法，能夠簡(jiǎn)化對(duì)智能卡閃存訪(fǎng)問(wèn)的過(guò)程。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存的方法，所采用的技術(shù)方案，包括：在地址保護(hù)單元中設(shè)置閃存地址的訪(fǎng)問(wèn)權(quán)限為不可讀寫(xiě)；當(dāng)指令代碼訪(fǎng)問(wèn)受保護(hù)的閃存地址時(shí)，進(jìn)行數(shù)據(jù)異常處理，獲取指令代碼的指令類(lèi)型及其對(duì)應(yīng)的指令信息；根據(jù)指令類(lèi)型及其對(duì)應(yīng)的指令信息，訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存。

采用本發(fā)明技術(shù)方案所提供的訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存的方法，能通過(guò)地址保護(hù)單元的功能對(duì)閃存進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)，編程人員不必考慮閃存讀取程序接口和閃存寫(xiě)入程序接口的問(wèn)題，簡(jiǎn)化了閃存讀取和寫(xiě)入的過(guò)程，為程序編寫(xiě)帶來(lái)方便。

本發(fā)明還提供了一種智能卡，能夠簡(jiǎn)化對(duì)智能卡閃存訪(fǎng)問(wèn)的過(guò)程。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種智能卡，采用的技術(shù)方案包括：地址保護(hù)單元，用于設(shè)定閃存地址的訪(fǎng)問(wèn)權(quán)限為不可讀寫(xiě)；數(shù)據(jù)異常處理單元，用于當(dāng)指令代碼訪(fǎng)問(wèn)地址保護(hù)單元中閃存地址時(shí)，進(jìn)行數(shù)據(jù)異常處理，獲取指令代碼的指令類(lèi)型及其對(duì)應(yīng)的指令信息；訪(fǎng)問(wèn)單元，用于根據(jù)指令類(lèi)型及其對(duì)應(yīng)的指令信息，訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存。

采用本發(fā)明技術(shù)方案所提供的智能卡，能通過(guò)地址保護(hù)單元的功能對(duì)閃存進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)，編程人員不必考慮閃存讀取程序接口和閃存寫(xiě)入程序接口的問(wèn)題，簡(jiǎn)化了閃存讀取和寫(xiě)入的過(guò)程，為程序編寫(xiě)帶來(lái)方便。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存的方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例ARM匯編指令代碼的典型格式；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例智能卡的系統(tǒng)框圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存的方法進(jìn)行詳細(xì)描述。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例訪(fǎng)問(wèn)智能卡閃存的方法，包括：

S1、在地址保護(hù)單元中設(shè)置閃存地址的訪(fǎng)問(wèn)權(quán)限為不可讀寫(xiě)。

具體地，本實(shí)施例以目前業(yè)界廣泛使用的采用ARM芯片的智能卡為例。ARM芯片的地址保護(hù)單元為內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)，在內(nèi)存保護(hù)單元地址保護(hù)設(shè)定程序中設(shè)定需要進(jìn)行讀寫(xiě)保護(hù)的閃存地址空間，本實(shí)施例將閃存地址0xA0000到0xBFFFF設(shè)定為不可讀寫(xiě)。

S2、當(dāng)指令代碼訪(fǎng)問(wèn)受保護(hù)的閃存地址時(shí)，進(jìn)行數(shù)據(jù)異常處理，獲取指令代碼的指令類(lèi)型及其對(duì)應(yīng)的指令信息。