[發明專利]一種改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法

無效

• 申請號: 200910244051.8
• 申請日: 2009-12-28
• 公開（公告）號: CN102110649A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 譚燦健;譚志輝
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京天悅專利代理事務所(普通合伙) 11311
• 代理人: 田明;任曉航

1.一種改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，該方法基于P阱CMOS制作工藝，其特征在于：在準備好用于制作鋁柵CMOS的N型襯底基片后，先在基片上進行N型離子注入，增加襯底表面濃度，然后再進行后續的鋁柵CMOS制作工藝步驟。

2.如權利要求1所述的改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，其特征在于：所述的后續的鋁柵CMOS制作工藝具體包括如下步驟：

(1)對N型離子注入后的基片進行P阱涂膠處理；

(2)對涂膠后的基片進行P阱曝光；

(3)對曝光后的基片進行P阱顯影；

(4)對顯影后的基片進行P阱刻蝕；

(5)對刻蝕后的基片進行P阱離子注入；

(6)進行去膠處理；

(7)利用高溫進行推阱，在襯底上形成N阱和P阱；

(8)在N阱上制作PMOS晶體管，在P阱上制作NMOS晶體管。

3.如權利要求1或2所述的改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，其特征在于：所述的N型離子注入采用P-離子。

4.如權利要求3所述的改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，其特征在于：所述的N型離子注入的能量范圍為100Kev至160Kev。

5.如權利要求4所述的改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，其特征在于：所述的N型離子注入的劑量范圍為2E11cm^-2至4E11cm^-2。

6.如權利要求2所述的改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，其特征在于：在后續的鋁柵CMOS制作工藝的步驟(5)中，P阱離子注入采用B+離子。

7.如權利要求6所述的改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，其特征在于：在后續的鋁柵CMOS制作工藝的步驟(5)中，P阱離子注入的能量范圍為100Kev至160Kev。

8.如權利要求7所述的改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，其特征在于：在后續的鋁柵CMOS制作工藝的步驟(5)中，P阱離子注入的劑量范圍為2E12cm^-2至8E12cm^-2。

9.如權利要求2所述的改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，其特征在于：在后續的鋁柵CMOS制作工藝的步驟(7)中，高溫推阱的溫度范圍為1000℃至1200℃。

10.如權利要求9所述的改善鋁柵互補金屬氧化物半導體靜態電流失效的方法，其特征在于：在后續的鋁柵CMOS制作工藝的步驟(7)中，高溫推阱時間為10小時至15小時。