[發明專利]半色調掩模板及其制作方法有效
| 申請號： | 200910243802.4 | 申請日： | 2009-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN102103323A | 公開（公告）日： | 2011-06-22 |
| 發明（設計）人： | 崔承鎮;金基用 | 申請（專利權）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00;G03F1/08 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 色調 模板 及其 制作方法 | ||
1.一種半色調掩膜板包括基板，其特征在于：所述基板包括半透射區域，在所述半透射區域的至少一側設有與所述半透射區域相鄰的非透射區域，其中，所述半透射區域包括位于所述半透射區域邊緣的增透射區域；
在所述非透射區域設有第一掩膜層，在所述第一掩膜層上設有第二掩膜層，且所述第二掩膜層由非透射區域延伸到所述增透射區域；
所述延伸到所述增透射區域的第二掩膜層部分與所述基板相隔；
在所述半透射區域設有半透射層，所述半透射層的厚度小于所述第一掩膜層的厚度。
2.根據權利要求1所述的半色調掩膜板，其特征在于：所述第一掩膜層的材料與所述第二掩膜層的材料為金屬，且在相同的刻蝕條件下，所述第一掩膜層材料的刻蝕率大于所述第二掩膜層材料的刻蝕率。
3.根據權利要求1所述的半色調掩膜板，其特征在于：所述半透射層材料為金屬氧化物。
4.一種半色調掩模板的制作方法，包括：
在基板表面形成第一掩膜層；
在所述第一掩膜層表面形成第二掩膜層；其中，在相同刻蝕條件下，所述第一掩膜層材料的刻蝕率大于所述第二掩膜層材料的刻蝕率；
選擇性地去除半透射區域的第一掩膜層和第二掩膜層，由此形成被第一掩膜層、第二掩膜層覆蓋的非透射區域和露出基板的半透射區域，且根據所述第一掩膜層材料和第二掩膜層材料的刻蝕率的不同，第二掩膜層由非透射區域延伸到半透射區域的增透射區域并與基板相隔；
在所述半透射區域形成半透射層，其中，所述半透射層的厚度小于所述第一掩膜層的厚度。
5.根據權利要求4所述的半色調掩膜板的制作方法，其特征在于：
所述選擇性地去除第一掩膜層和第二掩膜層是通過濕法刻蝕工藝進行。
6.根據權利要求5所述的半色調掩膜板的制作方法，其特征在于：
通過所述選擇性地去除第一掩膜層和第二掩膜層，增透射區域的第二掩膜層下方的第一掩膜層被過刻蝕形成下口。
7.一種用于制造液晶顯示器薄膜晶體管的半色調掩膜板，包括基板，所述基板包括與液晶顯示器薄膜晶體管的源電極及漏電極對應的非透射區域、與液晶顯示器薄膜晶體管的溝道對應的半透射區域，其特征在于：
在所述半透射區域的至少一側設有非透射區域，其中，所述半透射區域包括位于所述半透射區域邊緣的增透射區域；
在所述非透射區域設有第一掩膜層，在所述第一掩膜層上設有第二掩膜層，且所述第二掩膜層由非透射區域延伸到所述增透射區域；
所述延伸到所述增透射區域的第二掩膜層部分與所述基板相隔；
在所述半透射區域設有半透射層，所述半透射層的厚度小于所述第一掩膜層的厚度。
8.根據權利要求7所述的用于制造液晶顯示器薄膜晶體管的半色調掩膜板，其特征在于：所述第一掩膜層的材料與所述第二掩膜層的材料不同，且在相同的刻蝕條件下，所述第一掩膜層材料的刻蝕率大于所述第二掩膜層材料的刻蝕率。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
