[發明專利]一種利用電阻進行耦合和匹配的單片低噪聲放大器

無效

• 申請號: 200910243741.1
• 申請日: 2009-12-23
• 公開（公告）號: CN102111111A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 劉新宇;程偉;金智;王顯泰
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03F1/42
• 分類號: H03F1/42
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種利用電阻進行耦合和匹配的單片低噪聲放大器，其特征在于，該放大器采用異質結雙極型晶體管作為有源器件，包括第一級放大電路和第二級放大電路，第一級放大電路采用共發射極放大器拓撲結構，其有源器件為第一異質結雙極型晶體管(HBT1)，第一異質結雙極型晶體管(HBT1)的基極是該放大器的信號輸入端，第一異質結雙極型晶體管(HBT1)的集電極是第一級放大電路的信號輸出端；第二級放大電路采用達林頓對管結構，其有源器件為第二異質結雙極型晶體管(HBT2)和第三異質結雙極型晶體管(HBT3)，其中第二異質結雙極型晶體管(HBT2)的基極是達林頓結構的輸入端，第二異質結雙極型晶體管(HBT2)和第三異質結雙極型晶體管(HBT3)的集電極是達林頓結構的輸出端。

2.根據權利要求1所述的利用電阻進行耦合和匹配的單片低噪聲放大器，其特征在于，所述第一異質結雙極型晶體管(HBT1)的發射極和接地之間連接有發射極反饋電阻(Re1)與發射極反饋電容(C1)的并聯結構，發射極反饋電阻(Re1)提供負反饋，發射極反饋電容(C1)提供高頻旁路，使由第一異質結雙極型晶體管(HBT1)構成的第一級放大電路能夠實現對低頻增益的抑制。

3.根據權利要求2所述的利用電阻進行耦合和匹配的單片低噪聲放大器，其特征在于，通過調整所述發射極反饋電阻(Re1)與發射極反饋電容(C1)，能夠實現對第一級放大電路帶寬和增益的調整。

4.根據權利要求1所述的利用電阻進行耦合和匹配的單片低噪聲放大器，其特征在于，所述第二級放大電路的達林頓結構的輸出端與所述第一級放大電路的第一異質結雙極型晶體管(HBT1)的輸出端之間連接有第一電阻反饋器件(Rf1)，所述第二級放大電路的達林頓結構的第二異質結雙極型晶體管(HBT2)的發射極與所述第一異質結雙極型晶體管(HBT1)的基極之間連接有第二電阻反饋器件(Rf2)。

5.根據權利要求4所述的利用電阻進行耦合和匹配的單片低噪聲放大器，其特征在于，通過調整所述第一電阻反饋器件(Rf1)，能夠實現對第一級放大電路的輸出匹配狀態以及達林頓對管結構的帶寬及增益的調整。

6.根據權利要求4所述的利用電阻進行耦合和匹配的單片低噪聲放大器，其特征在于，通過調整所述第二電阻反饋器件(Rf2)，能夠實現對第一級放大電路的輸出匹配狀態的調整。

7.根據權利要求2和4所述的利用電阻進行耦合和匹配的單片低噪聲放大器，其特征在于，所述發射極反饋電阻(Re1)、第一電阻反饋器件(Rf1)和第二電阻反饋器件(Rf2)在完成信號耦合的同時，用作有源器件的直流偏置器件。