[發(fā)明專(zhuān)利]Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法和Cs-HPW表面改性的Nafion膜

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910243704.0
• 申請(qǐng)日: 2009-12-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102108128A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 相艷;楊萌;盧善富;張勁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C08J7/12
• 分類(lèi)號(hào): C08J7/12;C08J7/14;H01M8/02;H01M2/16
• 代理公司: 北京金恒聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11324
• 代理人: 李強(qiáng);吳云華

1.Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法，其特征在于包括：

銫改性處理，從而得到銫改性的Nafion膜；以及

HPW改性處理，從而得到Cs-HPW改性的Nafion膜(“Cs-HPW-Nafion膜”)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法，其特征在于所述銫改性處理包括：

把Nafion膜置于銫鹽溶液中，從而得到銫改性的Nafion膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法，其特征在于所述HPW改性處理包括：

把改性的Nafion膜置于HPW溶液中，從而得到Cs-HPW改性的Nafion膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法，其特征在于所述銫鹽是Cs₂CO₃。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法，其特征在于：

所述HPW改性處理包括把改性的Nafion膜置于HPW溶液中，從而得到Cs-HPW改性的Nafion膜；

其中所述HPW溶液的濃度在5mM-40mM的范圍，所述Cs₂CO₃溶液的濃度在0.5M-6M的范圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法，其特征在于：

所述HPW改性處理包括把改性的Nafion膜置于HPW溶液中，從而得到Cs-HPW改性的Nafion膜；

其中所述HPW溶液的濃度在5mM-20mM的范圍，所述Cs₂CO₃溶液的濃度在2M-4M的范圍。

7.一種Cs-HPW表面改性的Nafion膜，其特征在于所述Cs-HPW表面改性的Nafion膜是用根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任何一項(xiàng)的方法制備的。

8.一種Cs-HPW表面改性的Nafion膜，其特征在于所述Cs-HPW表面改性的Nafion膜包括：

Nafion膜，

分布在所述Nafion膜表面上的銫鹽與HPW的反應(yīng)沉淀顆粒。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的Cs-HPW表面改性的Nafion膜，其特征在于所述銫鹽是Cs₂CO₃。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的Cs-HPW表面改性的Nafion膜，其特征在于所述反應(yīng)沉淀顆粒是通過(guò)利用磷鎢酸(HPW)與碳酸銫(Cs₂CO₃)的相互作用而引入到所述Nafion膜表面上的。