[發(fā)明專利]砷化鎵或鍺單晶生長方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910243510.0 | 申請日： | 2009-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN101724886A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 卜俊鵬;于會永 | 申請（專利權(quán)）人： | 中科晶電信息材料（北京）有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B29/42;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京雙收知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11241 | 代理人： | 左明坤 |
| 地址： | 100176 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 砷化鎵 鍺單晶 生長 方法 | ||
1.一種砷化鎵或鍺單晶生長方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)將熱解氮化硼坩堝用1200號砂紙修平至無明顯臺階，然后將其放入由去離子水、 氨水及雙氧水混合的體積比例為2∶1∶1的洗液中浸泡30分鐘，之后再將熱解氮化硼坩堝用 去離子水洗凈；
(2)將熱解氮化硼坩堝在180-220℃的真空狀態(tài)下用烘烤爐烘烤25-33分鐘，然后再在 900-1050℃的真空狀態(tài)下用烘烤爐烘烤30分鐘以上；
(3)向熱解氮化硼坩堝中充入1atm的高純氧氣，使熱解氮化硼坩堝在900-1050℃的烘 烤爐烘烤30分鐘以上；
(4)待熱解氮化硼坩堝冷卻到50℃直接裝入干凈的多晶料，在2分鐘內(nèi)完成裝料，裝 料環(huán)境溫度控制在20-25℃，濕度控制在40％以下；
(5)裝料完成后，按傳統(tǒng)VGF工藝完成單晶生長。
2.如權(quán)利要求1所述的砷化鎵或鍺單晶生長方法，其特征在于：所述步驟(2)熱解氮 化硼坩堝在真空狀態(tài)下用烘烤爐烘烤的溫度為190-200℃，在900-1050℃的真空狀態(tài)下用烘 烤爐烘烤60分鐘。
3.如權(quán)利要求2所述的砷化鎵或鍺單晶生長方法，其特征在于：所述步驟(3)熱解氮 化硼坩堝在烘烤爐中烘烤40分鐘。
4.如權(quán)利要求3所述的砷化鎵或鍺單晶生長方法，其特征在于：所述步驟(4)在萬級 潔凈間內(nèi)進(jìn)行，其濕度控制在10％以下。
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