[發(fā)明專利]一種PETEOS沉積設(shè)備清洗方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910243500.7 | 申請(qǐng)日: | 2009-12-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102110583A | 公開(公告)日: | 2011-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔曉娟;周華強(qiáng);徐鋒;彭亮;熊炳輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤(rùn)湘 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 peteos 沉積 設(shè)備 清洗 方法 | ||
1.一種PETEOS沉積設(shè)備清洗方法,其特征在于,包括:
向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入C2F6和O2作為清洗氣體,施加射頻交流電,對(duì)各反應(yīng)腔依次進(jìn)行近距離清洗操作和遠(yuǎn)距離清洗操作,通入的C2F6氣體流量為380~420scc;O2的氣體流量為475~525scc;
清洗完成后抽空各反應(yīng)腔內(nèi)的氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入C2F6和O2進(jìn)行近距離清洗操作之前,還包括:
向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入C2F6和O2直至穩(wěn)定的步驟;該步驟中,通入的C2F6氣體流量為380~420scc;O2的氣體流量為475~525scc,氣體通入的時(shí)間為5s。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在向PETEOS沉積設(shè)備的各反應(yīng)腔中通入C2F6和O2進(jìn)行遠(yuǎn)距離清洗操作之前,還包括:
向PETEOS沉積設(shè)備的所有腔體中通入C2F6和O2直至穩(wěn)定的步驟;該步驟中,C2F6的氣體流量為380~420scc;O2的氣體流量為475~525scc;氣體通入的時(shí)間為5s。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,對(duì)各反應(yīng)腔進(jìn)行近距離清洗的時(shí)間為25±5s。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,對(duì)各反應(yīng)腔進(jìn)行近距離清洗時(shí)施加的射頻交流電功率為600W。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,對(duì)各反應(yīng)腔進(jìn)行遠(yuǎn)距離清洗的時(shí)間為35±10s。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,對(duì)各反應(yīng)腔進(jìn)行遠(yuǎn)距離清洗時(shí)施加的射頻交流電功率為700W。
8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,還包括:向各腔體中通入O2和TEOS氣體,施加射頻交流電,在各反應(yīng)腔的備件表面上沉積保護(hù)膜;
抽空各反應(yīng)腔內(nèi)的氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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