[發(fā)明專利]多層摻稀土離子環(huán)芯光纖及其制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910243346.3
• 申請(qǐng)日: 2009-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN101710194A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡旭東;寧提綱;裴麗;李晶;周倩;張帆;王春燦;路玉春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京交通大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B6/036
• 分類號(hào): G02B6/036
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.多層摻稀土離子環(huán)芯光纖，其特征為：該光纖中心為硅芯區(qū)(1)、硅芯區(qū)(1)外，由內(nèi)到外分布第一摻稀土離子環(huán)芯(41)、第二摻稀土離子環(huán)芯(42)...第N摻稀土離子環(huán)芯(4N)，2≤N≤10，第N摻稀土離子環(huán)芯(4N)的外邊分布外包層(3)；

第一摻稀土離子環(huán)芯(41)、第二摻稀土離子環(huán)芯(42)、...第N摻稀土離子環(huán)芯(4N)的折射率相等；

硅芯區(qū)(1)的折射率低于第一摻稀土離子環(huán)芯(41)、第二摻稀土離子環(huán)芯(42)、...第N摻稀土離子環(huán)芯(4N)的折射率；

外包層(3)的折射率低于硅芯區(qū)(1)的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層摻稀土離子環(huán)芯光纖，其特征為：第一摻稀土離子環(huán)芯(41)、第二摻稀土離子環(huán)芯(42)...第N摻稀土離子環(huán)芯(4N)、外包層(3)之間由內(nèi)到外分布為第一硅環(huán)芯(21)、第二硅環(huán)芯(22)...第K硅環(huán)芯(2K)，0≤K≤N；

第一硅環(huán)芯(21)...第K硅環(huán)芯(2K)的折射率與硅芯區(qū)(1)的折射率相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層摻稀土離子環(huán)芯光纖，其特征為：純硅芯區(qū)(1)形狀為圓形、長(zhǎng)方形、橢圓形形狀；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層摻稀土離子環(huán)芯光纖，其特征為：第一摻稀土離子環(huán)芯(41)、第二摻稀土離子環(huán)芯(42)...第N摻稀土離子環(huán)芯(4N)形狀為圓環(huán)形、長(zhǎng)方環(huán)形、橢圓環(huán)形；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層摻稀土離子環(huán)芯光纖，其特征為：第一摻稀土離子環(huán)芯(41)、第二摻稀土離子環(huán)芯(42)...第N摻稀土離子環(huán)芯(4N)的摻稀土離子類型包括釹離子、鉺離子、鐿離子、釷離子、鐠離子、鈥離子、釤離子、釹鐿共摻離子、鉺鐿共摻離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層摻稀土離子環(huán)芯光纖，其特征為：第一摻稀土離子環(huán)芯(41)、第二摻稀土離子環(huán)芯(42)...第N摻稀土離子環(huán)芯(4N)的摻稀土離子類型相同或不相同。

7.權(quán)利要求1所述的多層摻稀土離子環(huán)芯光纖的制作方法，其特征為：該制作方法包括以下步驟：

步驟一，制作無包層摻稀土離子光纖預(yù)制棒N根，將這N根摻稀土離子光纖的預(yù)制棒，拉制成直徑從小到大的N根細(xì)棒，2≤N≤10；

步驟二，對(duì)完成步驟一的直徑從小到大的N根細(xì)棒進(jìn)行處理，得到尺寸從小到大的N環(huán)形細(xì)棒，其中尺寸小的環(huán)形細(xì)棒外部能套上尺寸大的環(huán)形細(xì)棒；

步驟三，將完成步驟二的N根環(huán)形細(xì)棒組織起來，即尺寸小的環(huán)形細(xì)棒外部套上尺寸大的環(huán)形細(xì)棒；在尺寸最大的環(huán)形細(xì)棒外部套上石英管，內(nèi)部空隙處用折射率比N根摻稀土離子環(huán)形細(xì)棒折射率低但比石英管折射率高的細(xì)石英棒填充，拉制成多層摻稀土離子環(huán)芯光纖。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多層摻稀土離子環(huán)芯光纖的制作方法，其特征為：N根摻稀土離子光纖的預(yù)制棒的摻稀土離子類型包括釹離子、鉺離子、鐿離子、釷離子、鐠離子、鈥離子、釤離子、釹鐿共摻離子、鉺鐿共摻離子。