[發明專利]光泵鎖模薄片半導體激光器

無效

• 申請號: 200910243068.1
• 申請日: 2009-12-25
• 公開（公告）號: CN101741012A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 宋晏蓉;張鵬;張曉;張志剛;田金榮;張新平
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01S5/065
• 分類號: H01S5/065;H01S5/343;H01S5/10;H01S5/024
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 吳蔭芳

1.光泵鎖模薄片半導體激光器，采用V形諧振腔及泵浦光源(1)，諧振腔由出射端鏡、中間反射鏡、端面反射鏡構成，其中，出射端鏡采用輸出耦合鏡，中間反射鏡采用安裝在散熱裝置(4)上的半導體增益芯片，泵浦光源通過透鏡組照射于半導體增益芯片，其特征在于：所述端面反射鏡采用半導體可飽和吸收鏡(5)，且半導體可飽和吸收鏡包含可飽和吸收層(15)及布拉格反射鏡層(16)；所述半導體增益芯片包含周期性多量子阱層和布拉格反射鏡層(12)，其中周期性多量子阱層由交替的半導體量子阱有源層(10)和量子阱勢壘層(11)構成。

2.如權利要求1所述的光泵鎖模薄片半導體激光器，其特征在于：所述泵浦光源(1)是800-810nm波長的半導體激光器；半導體增益芯片(3)中的周期性多量子阱層中的半導體量子阱有源層(10)為InGaAs，其中In含量為0.18-0.20，量子阱勢壘層(11)為GaAs或AlGaAs，其中量子阱個數為6-16個；半導體增益芯片(3)的布拉格反射鏡層(12)為26-28對GaAs/AlAs；輸出耦合鏡(7)為光學玻璃，鍍有對1微米波長的激光部份透射的寬帶介質膜；半導體可飽和吸收鏡(5)中含有量子阱吸收區及布拉格反射鏡層，量子阱吸收區為InGaAs/GaAs材料，為3-5個量子阱，其中In含量為0.18-0.20，布拉格反射鏡層為23-28對GaAs/AlAs。

3.如權利要求1所述的光泵鎖模薄片半導體激光器，其特征在于：所述泵浦光源(1)是630-670nm半導體激光器；半導體增益芯片(3)中的周期性多量子阱層中的半導體量子阱有源層(10)及量子阱勢壘層(11)為GaAs/AlGaAs；半導體增益芯片(3)的布拉格反射鏡層(12)為26-28對GaAs/AlAs；輸出耦合鏡(7)為光學玻璃，鍍有對850nm附近激光部份透射的寬帶介質膜；半導體可飽和吸收鏡(5)選取吸收波長850nm附近的GaAs/AlGaAs材料的吸收鏡，為3-5個量子阱，布拉格反射鏡層為23-28對GaAs/AlAs.

4.如權利要求1所述的光泵鎖模薄片半導體激光器，其特征在于：所述泵浦光源(1)是808nm半導體激光器；半導體增益芯片(3)中的周期性多量子阱層中的半導體量子阱有源層(10)及量子阱勢壘層(11)為GaInNAs/GaAs；半導體增益芯片(3)的布拉格反射鏡層(12)為26-28對GaAs/AlAs；輸出耦合鏡(7)為光學玻璃，鍍有對1220nm附近激光部份透射的寬帶介質膜；半導體可飽和吸收鏡(5)選取吸收波長1220nm附近的GaInNAs/GaAs材料的吸收鏡，為3-5個量子阱，布拉格反射鏡層為23-28對GaAs/AlAs.

5.如權利要求1所述的光泵鎖模薄片半導體激光器，其特征在于：所述泵浦光源(1)是976nm半導體激光器；半導體增益芯片(3)中的周期性多量子阱層中的半導體量子阱有源層(10)及量子阱勢壘層(11)為InGaAsP/InP；半導體增益芯片(3)的布拉格反射鏡層(12)為26-28對GaAs/AlAs；輸出耦合鏡(7)為光學玻璃，鍍有對1550nm附近激光部份透射的寬帶介質膜；半導體可飽和吸收鏡(5)選取吸收波長1550nm附近的InGaAsP/InP材料的吸收鏡，為3-5個量子阱，布拉格反射鏡層為23-28對GaAs/AlAs.

6.如權利要求1至5中任一項所述的光泵鎖模薄片半導體激光器，其特征在于：所述散熱裝置(4)由熱沉(18)、半導體制冷芯片(19)和水循環裝置(20)三者依次排列組成。