[發(fā)明專利]一種芯片參數(shù)的識(shí)別方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910242882.1
• 申請(qǐng)日: 2009-12-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102103890A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 凌明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫中星微電子有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/20
• 分類號(hào): G11C16/20
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種芯片參數(shù)的識(shí)別方法，其特征在于，該方法包括：

從預(yù)先設(shè)置的多個(gè)時(shí)間timing參數(shù)中選擇滿足閃存nandflash芯片讀寫條件的timing參數(shù)；

其中，timing參數(shù)滿足nandflash芯片讀寫條件，是指在采用該timing參數(shù)時(shí)，對(duì)該nandflash芯片進(jìn)行的讀、寫操作均成功；

從滿足nandflash芯片讀寫條件的timing參數(shù)中選擇一個(gè)nandflash芯片工作頻率最高的timing參數(shù)，作為nandflash芯片的最佳timing參數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，從預(yù)先設(shè)置的多個(gè)timing參數(shù)中選擇滿足nandflash芯片讀寫條件的timing參數(shù)的步驟包括：

按照預(yù)先設(shè)置的多個(gè)timing參數(shù)的從低到高的順序，依次選擇timing參數(shù)進(jìn)行是否滿足nandflash芯片讀寫條件的判斷；

其中，所述多個(gè)timing參數(shù)的從低到高的順序，是預(yù)先按照每個(gè)timing參數(shù)中的nandflash芯片工作頻率設(shè)置的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，從預(yù)先設(shè)置的多個(gè)timing參數(shù)中選擇滿足nandflash芯片讀寫條件的timing參數(shù)的步驟包括：

從預(yù)先設(shè)置的多個(gè)timing參數(shù)中選擇每個(gè)timing參數(shù)，分別進(jìn)行是否滿足nandflash芯片讀寫條件的判斷，記錄滿足nandflash芯片讀寫條件的timing參數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，判斷當(dāng)前選擇的timing參數(shù)滿足nandflash芯片讀寫條件的步驟包括：

采用當(dāng)前選擇的timing參數(shù)初始化閃存nandflash芯片控制器，并重新啟動(dòng)nandflash芯片；

格式化第0號(hào)block，讀取第0號(hào)block中的數(shù)據(jù)；

當(dāng)從第0號(hào)block中讀取到的數(shù)據(jù)為0xff時(shí)，向第0號(hào)block寫入特定數(shù)據(jù)，并再次讀取第0號(hào)block中的數(shù)據(jù)；

當(dāng)從第0號(hào)block中再次讀取到的數(shù)據(jù)，與所述特定數(shù)據(jù)相同時(shí)，確定當(dāng)前選擇的timing參數(shù)為滿足nandflash芯片讀寫條件的timing參數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還包括：

分別向nandflash芯片的多個(gè)特定字節(jié)區(qū)域?qū)懭氩煌臄?shù)據(jù)，其中，所述特定字節(jié)區(qū)域是預(yù)先根據(jù)nandflash芯片的各種頁(yè)page類型確定的；

讀取特定字節(jié)區(qū)域中的數(shù)據(jù)，通過(guò)將讀取到的數(shù)據(jù)與寫入該特定字節(jié)區(qū)域中的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，確定nandflash芯片的page類型。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，確定nandflash芯片的page類型之后，該方法還包括：

重新啟動(dòng)nandflash芯片，向一個(gè)page的一部分?jǐn)?shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭胩囟〝?shù)據(jù)；

重新啟動(dòng)nandflash芯片，向該page的另一部分?jǐn)?shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭胩囟〝?shù)據(jù)；

重新啟動(dòng)nandflash芯片，讀取該page的全部數(shù)據(jù)；

比較從所述另一部分?jǐn)?shù)據(jù)區(qū)域讀取到的數(shù)據(jù)，與向該部分?jǐn)?shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭氲奶囟〝?shù)據(jù)是否相同，如果是，則確定所述nandflash芯片的物理結(jié)構(gòu)為單級(jí)單元SLC物理結(jié)構(gòu)；否則，確定所述nandflash芯片的物理結(jié)構(gòu)為多級(jí)單元MLC物理結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還包括：

對(duì)nandflash芯片的第一組特定page所在的塊block進(jìn)行格式化；

分別向第二組特定page寫入特定數(shù)據(jù)，然后格式化第0號(hào)page所在的block；

讀取所述第二組特定page中的數(shù)據(jù)，通過(guò)將讀取到的數(shù)據(jù)與所述特定數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，確定nandflash芯片每個(gè)block包括的page數(shù)目；

其中，所述第一組特定page和第二組特定page是預(yù)先根據(jù)nandflash芯片每個(gè)block包括的page數(shù)目的種類確定的。