[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 200910242509.6
• 申請日: 2009-12-15
• 公開（公告）號: CN101840920A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 駱志炯;尹海洲;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張磊

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底；

形成在所述襯底上的柵極，以及形成在所述襯底中且位于所述柵極兩側的源極和漏極；

分別形成在所述源極和漏極之上的提升部，所述提升部的高度接近所述柵極的高度；和

形成在所述提升部和所述柵極之上的金屬硅化物層和接觸孔。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

形成在所述柵極和所述提升部之間的第一側墻、第二側墻和第三側墻，其中所述第三側墻部分地覆蓋所述源極和漏極之上的提升部。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第一側墻、第二側墻和第三側墻高于所述柵極和提升部以在所述柵極之上形成凹槽。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，在所述凹槽內填充有氮化物，所述接觸孔穿透所述氮化物與所述柵極之上的金屬硅化物相連。

5.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，還包括在所述凹槽的內側形成的第四側墻。

6.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，在形成第四側墻的所述凹槽內填充有氮化物，所述接觸孔穿透所述氮化物與所述柵極之上的金屬硅化物相連。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，還包括在所述第三側墻之上形成的第五側墻，所述第五側墻部分地覆蓋所述提升部之上的金屬硅化物。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述第四側墻和第五側墻的材料與淀積的氮化物不同以增加刻蝕選擇性。

9.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成襯底；

在所述襯底之上形成柵極，并在所述襯底中且位于所述柵極的兩側形成源極和漏極；

分別在所述源極和漏極之上形成提升部，其中，調整所述柵極的高度或控制所述提升部的高度以使所述提升部的高度接近所述柵極的高度；

在所述提升部和所述柵極之上形成用于連接的金屬硅化物層和接觸孔。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述柵極之后，還包括：

在所述柵極之上形成相對較厚的氧化物覆蓋層。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述在源極和漏極之上形成提升部之前，還包括：

在所述柵極和氧化物覆蓋層兩側分別形成第一側墻和第二側墻。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，在所述在源極和漏極之上形成提升部之后，還包括：

在所述第二側墻之上形成第三側墻，其中所述第三側墻部分地覆蓋所述源極和漏極之上的提升部。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述調整所述柵極的高度包括：

去除所述氧化物覆蓋層，以形成凹槽，所述凹槽使所述提升部的高度接近所述柵極的高度。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述凹槽內填充氮化物，所述接觸孔穿透所述氮化物與所述柵極之上的金屬硅化物相連。

15.如權利要求13所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述凹槽的內側形成的第四側墻。

16.如權利要求13所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述第三側墻之上形成的第五側墻，所述第五側墻部分地覆蓋所述提升部之上的金屬硅化物。

17.如權利要求15或16所述的方法，其特征在于，其中，所述第四側墻和第五側墻的材料與淀積的氮化物不同以采用自對準的方式形成接觸孔。

18.如權利要求12所述的方法，其特征在于，在形成所述第三側墻之后，還包括：

去除所述氧化物覆蓋層，以及氧化物覆蓋層兩側的所述第一側墻、第二側墻和第三側墻。