[發(fā)明專利]一種基于納米加工技術(shù)的集成微四點(diǎn)探針芯片制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910241527.2
• 申請(qǐng)日: 2009-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN101738541A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何杰輝;吳克輝;羅強(qiáng);顧長(zhǎng)志;郭建東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院物理研究所
• 主分類號(hào): G01R27/02
• 分類號(hào): G01R27/02;B82B3/00
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種基于納米加工技術(shù)的集成微四點(diǎn)探針制作方法，包括以下步 驟：

a.在雙面氧化的硅片背面生長(zhǎng)第一氮化硅層并制作第一光阻掩膜，然 后按該掩膜圖案刻蝕，去除未受第一光阻掩膜保護(hù)的第一氮化硅層和第一 二氧化硅層，暴露出硅，以使掩膜圖案?jìng)鬟f到第一氮化硅層和第一二氧化 硅層，其中所述第一二氧化硅層是指硅片本身在其背面上具有的二氧化硅 層；

b.在硅片正面制作第二光阻掩膜，然后去除該硅片正面的未受該第二 光阻掩膜覆蓋的二氧化硅層但至少保留一部分，經(jīng)去膠后在正面生長(zhǎng)第二 氮化硅層；

c.將步驟b)所得樣品在KOH溶液中腐蝕后，去除正面的第二氮化硅 層和二氧化硅層以暴露出硅，刻出底切結(jié)構(gòu)，該底切結(jié)構(gòu)是通過各向異性 的反應(yīng)離子刻蝕來實(shí)現(xiàn)的，使得硅片與其上層二氧化硅的連接部位向內(nèi)凹 陷；

d.在正面生長(zhǎng)導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米加工技術(shù)的微四點(diǎn)探針制作方法， 其特征在于，在所述步驟b)中的所述二氧化硅層的保留部分的厚度為 100-500納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于納米加工技術(shù)的微四點(diǎn)探針制作方法， 其特征在于，在所述步驟b)中的所述第二氮化硅層的厚度為100-500納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米加工技術(shù)的微四點(diǎn)探針制作方法， 其特征在于，在所述步驟c)中的所述KOH溶液濃度為30±5％，溫度為 60-100攝氏度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于納米加工技術(shù)的微四點(diǎn)探針制作方法， 其特征在于，在所述步驟c)中腐蝕時(shí)間為150分鐘至300分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米加工技術(shù)的微四點(diǎn)探針制作方法， 其特征在于，所述步驟d)中的導(dǎo)電層為厚度為50-500納米的金、鉑、鎢 或者鈦金合金。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米加工技術(shù)的微四點(diǎn)探針制作方法， 其特征在于，在所述步驟d)前還包括在所述正面生長(zhǎng)緩沖層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于納米加工技術(shù)的微四點(diǎn)探針制作方法， 其特征在于，所述緩沖層是厚度為3-50納米的鉻。

9.一種根據(jù)權(quán)利要求1至8之一所述的基于納米加工技術(shù)的集成微四 點(diǎn)探針制作方法所制備的微四點(diǎn)探針。