[發(fā)明專利]一種晶圓背面處理方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910241295.0
• 申請(qǐng)日: 2009-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN102082069A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李熙;胡德明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/60;H01L21/306
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

1.一種晶圓背面處理方法，其特征在于，包括：

對(duì)晶圓進(jìn)行背面減薄，得到減薄后的晶圓；

根據(jù)所述減薄后的晶圓的背面表面質(zhì)量，將減薄后的晶圓放入對(duì)應(yīng)的設(shè)定配比的混酸溶液中浸泡，得到表面質(zhì)量滿足背面金屬化要求的浸泡處理后的晶圓；

對(duì)經(jīng)浸泡處理后的晶圓進(jìn)行清洗后，對(duì)清洗后的晶圓進(jìn)行背面金屬化處理，實(shí)現(xiàn)在清洗后的晶圓的背面鍍上所需的金屬層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)晶圓進(jìn)行背面減薄，具體包括：

通過選定型號(hào)的研磨輪對(duì)所述晶圓的背面進(jìn)行減薄處理，得到所述背面表面質(zhì)量滿足設(shè)定粗糙度范圍的減薄后的晶圓。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述混酸溶液為氫氟酸HF、硝酸HNO₃和醋酸HAC的混合溶液。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述混酸溶液中氫氟酸HF、硝酸HNO₃的體積比介于1∶3至1∶5之間。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述晶圓放入設(shè)定配比的混酸溶液中浸泡時(shí)，在23℃～30℃溫度下浸泡。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圓在混酸溶液中的浸泡時(shí)間為20秒～2分鐘。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在清洗后的晶圓的背面鍍上所需的金屬層，具體包括：

通過蒸發(fā)臺(tái)或?yàn)R射臺(tái)在晶圓背面表面鍍上符合晶圓上的半導(dǎo)體器件的接觸電阻要求的金屬層。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬層包括下列金屬層中的至少一層：

鈦、鎳、銀、鉻和金。

9.如權(quán)利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，所述對(duì)晶圓進(jìn)行背面減薄之前，還包括：

對(duì)所述晶圓的正面表面進(jìn)行貼膜，在晶圓的正面表面貼上一層耐酸藍(lán)膜。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，將晶圓在混酸藥液中浸泡后進(jìn)行清洗前，還包括：

去除貼在晶圓正面表面的所述耐酸藍(lán)膜的步驟。

11.一種晶圓背面處理系統(tǒng)，其特征在于，包括：

減薄設(shè)備，用于對(duì)晶圓進(jìn)行背面減薄，得到減薄后的晶圓；

浸泡裝置，用于根據(jù)所述減薄后的晶圓的背面表面質(zhì)量，將減薄后的晶圓放入對(duì)應(yīng)的設(shè)定配比的混酸溶液中浸泡，得到表面質(zhì)量滿足背面金屬化要求的浸泡處理后的晶圓；

金屬化設(shè)備，用于對(duì)經(jīng)浸泡處理后的晶圓進(jìn)行清洗后，對(duì)清洗后的晶圓進(jìn)行背面金屬化處理，實(shí)現(xiàn)在清洗后的晶圓的背面鍍上所需的金屬層。