[發明專利]一種NMOS器件及其制作方法

無效

• 申請號: 200910239096.6
• 申請日: 2009-12-29
• 公開（公告）號: CN102110646A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 李永輝
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/336;H01L21/02;H01L21/28;H01L27/06;H01L29/78;H01L29/49
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 賈振勇

1.一種NMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在硅片的柵氧區和場氧區分別形成柵極和PIP電容器的下極板；

在柵氧區定義出N型輕摻雜漏區NLDD層的圖形，并注入形成NLDD區；

在NLLD區完全注入后，在PIP電容器的下極板上生長一層介電層，并在介電層上形成PIP電容器的上極板；

在NLDD區上形成隔層，然后形成N+區。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在硅片的柵氧區和場氧區分別形成柵極和PIP電容器的下極板的步驟具體為：

在硅片上沉積第一層多晶硅；

對所述第一層多晶硅低阻化處理；

在低阻化處理過的第一層多晶硅上形成柵極和PIP電容器的下極板。

3.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，對所述第一層多晶硅通過磷擴散或者注入的方式進行低阻化處理。

4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述隔層為TEOS層。

5.一種NMOS器件，包括形成于柵氧區之上的NMOS部分和形成于場氧區之上的PIP電容器；所述NMOS部分包括形成于柵氧區之上的柵極、N型輕摻雜漏區NLDD區和N+區，所述NLDD區上還形成有隔層，其特征在于，所述NLDD區為完全注入，所述NLDD區與所述柵極邊緣緊密相連。

6.如權利要求5所述的NMOS器件，其特征在于，所述柵極為低阻化處理過的多晶硅層。

7.如權利要求5所述的NMOS器件，其特征在于，所述隔層為TEOS層。