[發明專利]一種聚合物薄膜熱貼合方法及其在頂柵有機場效應晶體管中的應用

無效

• 申請號: 200910237346.2
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN101710607A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 劉云圻;張磊;狄重安;郭云龍;孫向南;溫雨耕;于貴;朱道本
• 申請（專利權）人: 中國科學院化學研究所
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢

1.一種在有機半導體薄膜上制備聚合物絕緣薄膜的方法，包括下述步驟：

1)在親水性基片表面制備聚合物薄膜，然后將所述親水性基片浸入水中，水 侵入所述聚合物薄膜與所述親水性基片之間，使所述聚合物薄膜從所述親水性基片 表面剝落，并自發鋪展于水的表面，將所述聚合物薄膜從水的表面轉移到框架上， 并將支撐著所述聚合物薄膜的框架放入烘箱，使所述聚合物薄膜烘干；

2)使有機半導體薄膜表面與所述聚合物薄膜表面相接觸，并將它們置于烘箱 中，在真空度為0.001Kpa-1Kpa的條件下進行加熱，冷卻至室溫后將薄膜取出，即 在有機半導體薄膜表面制備得到聚合物絕緣薄膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述聚合物薄膜由聚丙烯腈或 聚氨酯制成。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述有機半導體薄膜由有 機小分子或高分子制成。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述有機半導體薄膜由下述物 質中的一種制成：并五苯、聚3-己基噻吩和并三噻吩-苝二酰亞胺共聚物。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述聚合物薄膜的厚度為50-5000 納米。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述親水性基片為玻璃、二氧 化硅或陶瓷；在親水性基片表面制備聚合物薄膜的方法為旋涂法、刮膜法或甩膜法。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟2)中所述加熱的溫度為 140-200℃，加熱的時間為20-60分鐘。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法還包括在親水性基片 浸入水中前，在聚合物薄膜上制備至少一層緩沖層的步驟。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于：所述緩沖層由聚苯乙烯或聚甲 基丙烯酸甲酯制成，所述緩沖層的厚度為10-200nm。

10.權利要求1-9中任一所述的方法在制備頂柵結構的有機場效應晶體管中的 應用。

11.一種制備頂柵結構的有機場效應晶體管的方法，包括下述步驟：

1)在襯底上制備源電極和漏電極；

2)在所述源電極和漏電極上制備有機半導體層；

3)采用權利要求1-9中任一所述的方法在所述有機半導體層上制備聚合物絕 緣層；

4)在所述聚合物絕緣層上制備柵電極，得到頂柵結構的有機場效應晶體管。