[發明專利]ZnO/SiC/Si異質結太陽能電池及其制備方法無效
| 申請號: | 200910236480.0 | 申請日: | 2009-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN101694853A | 公開(公告)日: | 2010-04-14 |
| 發明(設計)人: | 傅竹西 | 申請(專利權)人: | 中國科學技術大學 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/06;H01L31/0352;H01L31/18;C23C16/40;C23C14/34;C23C14/08;C23C16/32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | zno sic si 異質結 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種制備如下ZnO/SiC/Si異質結太陽能電池的方法,包括如下步驟:
所述ZnO/SiC/Si異質結太陽能電池,由襯底層、位于所述襯底層之上的SiC層和 位于所述SiC層之上的ZnO層組成;
所述構成襯底層的材料為Si片;
所述襯底層的厚度為3-4毫米,所述SiC層的厚度為500-3000納米,所述ZnO 層的厚度為300-2000納米;
1)在襯底層上外延生長SiC層;
2)在所述SiC層上外延生長ZnO層,得到所述ZnO/SiC/Si異質結太陽能電池;
步驟1)中,所述外延生長SiC層的方法為化學氣相沉積方法;
所述化學氣相沉積或金屬有機化學氣相沉積方法中,選用氫氣作為載氣,選用硅 烷和丙烷作為反應源,選用鋁源作為摻雜劑;
所述鋁源為三甲基鋁;所述硅烷的流量為60-100毫升/分鐘,所述丙烷的流量為 1-3毫升/分鐘;所述三甲基鋁的流量為2-5毫升/分鐘;沉積的溫度為1100-1350℃; 沉積的時間為40-90分鐘;所述載氣的流量為1.5-3升/分鐘;沉積的壓力為500-5000Pa;
步驟2)中,所述外延生長ZnO層的方法為化學氣相沉積方法或反應濺射方法;
所述化學氣相沉積方法和金屬有機化學氣相沉積方法中,選用氮氣作為載氣,選 用水蒸氣、一氧化碳、二氧化碳和二氧化氮中的至少一種作為氧源,選用二乙基鋅作 為另一反應源,選用鋁源作為摻雜劑;
所述反應濺射方法中,選用含鋁的鋅靶或者同時用鋁靶和鋅靶作為靶材,選用氧 氣作為反應氣體,選用氬氣作為濺射氣體;
所述化學氣相沉積方法和金屬有機化學氣相沉積方法中,所述載氣的流量為1-3 升/分鐘;沉積的溫度為300-700℃,沉積的時間為40-80分鐘;所述氧源和所述二乙 基鋅的摩爾比為1∶1-1∶4;
所述反應濺射方法中,所述含鋁的鋅靶中,鋁和鋅的重量比為0.1%;所述鋁靶和 鋅靶中,鋁和鋅的重量比為0.1%;所述氧氣和氬氣的壓力比為1∶2-1∶6,濺射的 壓力為300-1000Pa,濺射的溫度為200-450℃,濺射的功率為20-200W,濺射的時間 為0.5-2小時。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述步驟1)中,所述硅烷的流量 為80毫升/分鐘,所述丙烷的流量為2毫升/分鐘;所述三甲基鋁的流量為3毫升/分 鐘;沉積的溫度為1300℃;沉積的時間為60分鐘;所述載氣的流量為2升/分鐘;沉 積的壓力為1500Pa;
所述步驟2)中,所述化學氣相沉積方法和金屬有機化學氣相沉積方法中,所述 載氣的流量為2升/分鐘;沉積的溫度為500℃,沉積的時間為60分鐘;所述氧源和 所述二乙基鋅的摩爾比為1∶2;
所述反應濺射方法中,所述氧氣和氬氣的壓力比為1∶4,濺射的壓力為500Pa, 濺射的溫度為350℃,濺射的功率為100W,濺射的時間為1小時。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





