[發明專利]一種制作全息雙閃耀光柵的方法

有效

• 申請號: 200910231737.3
• 申請日: 2009-12-03
• 公開（公告）號: CN101726779A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 劉全;吳建宏;汪海賓;胡祖元;陳新榮;李朝明
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G03F7/00
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒

1.一種制作全息雙閃耀光柵的方法，所述全息雙閃耀光柵的兩個閃耀角分別是A閃耀角和B閃耀角，雙閃耀光柵分為兩個區，對應A閃耀角的為A光柵區，對應B閃耀角的為B光柵區，其特征在于，制作方法包括下列步驟：

(1)在光柵基片上涂布光刻膠，光刻膠的厚度根據A閃耀角確定；

(2)進行第一次干涉光刻，制作符合A閃耀角要求的光刻膠光柵掩模；

(3)遮擋B光柵區，對于A光柵區的光柵掩模，通過傾斜Ar離子束掃描刻蝕，利用光刻膠光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成三角形的閃耀光柵槽形；之后清洗基片，保留下已刻蝕完的閃耀光柵槽形；

(4)在光柵基片上重新涂布光刻膠，光刻膠的厚度根據B閃耀角確定；

(5)將B光柵區進行遮擋，利用已制備完成的A光柵區，采用光學莫爾條紋法進行莫爾條紋對準，使得所述第一次干涉光刻與去除遮擋后的第二次干涉光刻產生的光柵周期相一致，然后去除遮擋，進行第二次干涉光刻，制作符合B閃耀角要求的光刻膠光柵掩模；

(6)遮擋A光柵區，通過傾斜Ar離子束掃描刻蝕，將B光柵區刻蝕形成三角形的閃耀光柵槽形；

(7)清洗基片，得到全息雙閃耀光柵。

2.根據權利要求1所述的制作全息雙閃耀光柵的方法，其特征在于：步驟(2)中通過干涉光刻所制作的光柵結構的周期(Λ)為0.45～3微米；占寬比為0.25～0.6。

3.根據權利要求1所述的制作全息雙閃耀光柵的方法，其特征在于：步驟(5)中通過干涉光刻所制作的光柵結構的周期(Λ)為0.45～3微米；占寬比為0.25～0.6。

4.根據權利要求1所述的制作全息雙閃耀光柵的方法，其特征在于：步驟(3)和(6)中的Ar離子束掃描刻蝕的工藝參數均為，離子能量380～520eV，離子束流70～110mA，加速電壓250～300V，工作壓強2.0×10^-2Pa，刻蝕角度55°～80°。