[發(fā)明專利]內(nèi)置電感集成電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910231606.5
• 申請日: 2009-12-08
• 公開（公告）號: CN101710583A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李一
• 申請（專利權(quán)）人: 李一
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/495;H01L23/52
• 代理公司: 南通市永通專利事務(wù)所 32100
• 代理人: 葛雷

1.一種內(nèi)置電感集成電路，有金屬引線框架、芯片、電感和封裝材料，其特征是：金屬引線框架、芯片和電感均設(shè)置在封裝材料內(nèi)部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)置電感集成電路，其特征是：電感置于芯片的周圍，電感線圈環(huán)繞的平面與芯片擺放的平面呈0度至180度之間的任何角度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)置電感集成電路，其特征是：電感的個數(shù)至少為一個；當電感為多個時，電感的連接方法為串聯(lián)、并聯(lián)、既有串聯(lián)又有并聯(lián)或者各自獨立與芯片連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)置電感集成電路，其特征是：電感為沿芯片周圍擺放的形式，或者是電感線圈環(huán)繞芯片放置的形式。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)置電感集成電路，其特征是：封裝材料是封裝塑料、硅的氧化物及硅酸鹽、陶瓷或其他任意一種絕緣材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的內(nèi)置電感集成電路，其特征是：在封裝材料外加有金屬外殼。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)置電感集成電路，其特征是：金屬引線框架的部分或者整體為使用含3％至15％硅的硅鋁鐵合金、5％至90％鎳的鐵鎳合金或是含有其他種類的高磁通磁芯粉。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)置電感集成電路，其特征是：芯片使用含0.02％至35％硅及其他摻雜物的硅銅合金或硅鋁合金制成金屬層冗余。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)置電感集成電路，其特征是：芯片、電感固定于金屬引線框架上。