[發明專利]納米復合物有機自旋閥

無效

• 申請號: 200910231498.1
• 申請日: 2009-12-15
• 公開（公告）號: CN101710528A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 韓圣浩;林亮;龐智勇;王豐功;方少杰
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: H01F10/32
• 分類號: H01F10/32;H01F10/08;H01F41/14
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 王緒銀

1.一種納米復合物有機自旋閥，該自旋閥由三明治結構構成，其特征在于，頂電極是帶有鋁薄膜作保護層的過渡金屬鈷薄膜，底電極是鑭鍶錳氧薄膜，中間傳輸層是過渡金屬鈷與有機小分子八羥基喹啉鋁的納米復合物，其中過渡金屬鈷和八羥基喹啉鋁的質量比12.5％。

2.一種納米復合物有機自旋閥的制備方法，其特征在于，制備方法如下：

1)用激光脈沖沉積方法在鈦酸鍶襯底上制備厚度為100nm的鑭鍶錳氧薄膜，作為自旋閥的底電極；

2)將鑭鍶錳氧底電極腐蝕成表面積2×10mm²的長條，放入多源高真空熱蒸發室中，將多源高真空熱蒸發室抽真空，使本底壓強至1.5×10^-4Pa；

3)熱蒸發純度為99.99％的過渡金屬鈷和純度為99.995％的八羥基喹啉鋁粉末到鑭鍶錳氧底電極上，得到厚度120nm的有機納米復合物中間傳輸層，其中過渡金屬鈷和八羥基喹啉鋁的質量比12.5％；

4)保持多源高真空熱蒸發室1.5×10^-4Pa的真空度，通過一個10×2mm²的掩模，在有機納米復合物中間傳輸層上蒸發制備一個5nm厚的過渡金屬鈷薄膜作為頂電極；

5)在過渡金屬鈷薄膜頂電極上加熱蒸發40nm厚的鋁薄膜作保護層。